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基极流到发射极，集电极流到发射极，Ib+Ic=Ie.三极管饱和后相当于开关闭合，因为此时ce之间的电压降很小0.2V左右。饱和后Vc＜Vb，有很少的电流从基极流到集电极。
测CE间电压，如果小于0.5V，说明已饱和，基极电流再增大，集电极电流也不会再增加或增加的很少。
三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压U be及U ce来判断三极管是否进入饱和状态。当U be略大于0.7V 后，无论U be怎样变化，三极管的I c将不能再增大。
在集电极、基极、发射极当中集电极的多数载流子的浓度时最小的，发射极的多数载流子的浓度是最大的。
在电子电路中，可以通过测试晶体管各极的直流电位来判断晶体管的工作状态。
可以看出，两个不同型号的三极管，VCE是不同的，并没有计算公式，故无法计算。VCE(SAT)大小是取决于三极管的材质、制作工艺等等，在电子线路理论中，并无计算公式。同一个三极管，饱和电压也和工作状态有关。
三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。
，三极管有三个工作状态：截止，放大，饱和。导通的三极管没到饱和状态时就是处于放大状态。2，NPN三极管只有从集电极流向发射极的电流和基极流向发射极的电流两个方向，没有从发射极流向集电极的电流。
当基极电流增大到一定程度时，集电极电流已大到极限（已经不会明显增大），此时的工作状态就是饱和。
三极管进入饱和状态，其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC《IB。
在晶体三极管中，发射结正偏，集电结也正偏，集电极电流不受基极电流控制的区域，就是晶体管饱和区。在此区域内，VCEVBE，βIBIC，VCE≈0.3V 。
三极管进入饱和状态，其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC《IB。
静态情况下： 基极电位若高于发射极电位0.65V，且高于集电极电位，即集电结与发射结均处于正向偏置时，晶体管处于饱和状态。 基极电位等于或低于发射极电位，即发射结无偏置或反向偏置时，晶体管处于截止状态。
三极管的饱和状态，是包括Ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。通过给三极管发射结加上正向导通偏压，同时给集电结加上正偏，三极管一定是在饱和区（一定不在放大区，包含Ic为零的情形）。
三极管属于电流型控制元器件，也就是小电流控制大电流，其有三个工作区间：截止区、放大区和饱和区。
1、你好：——★三极管饱和时，集电极负载电流超过管子的极限最大电流就会烧毁；——★工作在放大状态的三极管，集电极负载电流、和三极管发射极与集电极电压的乘积，不能超过三极管的耗散功率，否则也会烧毁。
2、三极管有压降Vce，三极管上的电流为Ic，那么功耗P=Vce*Ic。这个功耗全部转化为热量，流过的电流过大，发热就严重，三极管来不及将热量散发就会烧掉。
3、三极管击穿时会烧坏。三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。
4、烧坏管子的决定因素是电流，查三极管参数时有个允许电流，这个就是PN节允许的最大电流。
饱和状态的电流走向与放大状态是一样的，不过饱和状态时，IC与Ib并不没有Ic=BIb（B：贝塔）关系，而是IcBIb。
三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。
三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。
以npn为例，两个pn结正偏……”这就开始错了。无论开关状态或是线性状态，三极管的b-c都是反向偏置，具体你再学习三极管构造和工作原理。
三极管具有电流放大作用，但必须要有外部电路条件相配合，即外部电路满足“发射极E正向偏置。集电极反向偏置”这一条件。三极管的输出特性渠线可以划分为三个区，即放大区、饱和区、截止区。
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