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MOS管开关损失怎么看:
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有一个导通电阻,所以饥世敬当DS之间有电流流动时,两端都会有电压,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,消耗的这部分能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会降低导通损耗。
MOS在开启和关烂慎闭时,一定不是瞬间完成。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程。在此期间,MOS管的损失是电压和电流的乘积,称为开关损失。一般来说,开关损耗远大于导通损耗,开关频率越快,导通瞬返基间电压和电流的乘积越大,由此产生的损耗也很大。减少开关时间可以减少每次导通时的损耗;降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。
MOS管的功率,一般是指Maximum Power Dissipation--Pd,最大的耗散功率,具体是指MOS元件的容御拦瞎许损失,可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时,通过附加最大容许损耗Pd,则变为Tc=150度max. Pd=(Tcmax-Tc)/Rth(ch-c)MOS管大功率和小功率也只是一个相对的说法,就比如我们平时说高个子可能是1.7,1.8,也可能是1.9;那矮个子可能是1.4,1.5,也可能是1.7,1.8,对于高度为2.0的人来说。一般来讲,电流大于10A的,电压高于500V的可以称为大功率,但不绝对。MOS的衡汪功耗是指MOS在电镇空路应用中的损耗,比如导通损耗,开关损耗等,当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd.mos管的功率和功耗分别是什么?
比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂 ,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导皮毕通损耗,因为开关管的导通是有电败握散阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比重的确实交流损耗,就是上升的电压与下降的电流之间造察氏成的交流损耗,因为开关管并不是理想器件,管子的导通和关闭都需要一定的时间,所以也就衍生出了以后的ZVS(零电压关断)与ZCS(零电流关断)的研究,这个楼主有兴趣可以看一下。
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