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电压增益就是电压放大时的放大倍数，电流增益是电流放大时的放大倍数。
放大器增益是放大器输出功率与输入功率比值的对数，用以表示功率放大的程度。亦指电压或电流的放大倍数。同样，分贝就是放大器增益的单位。放大器输出与输入的比值为放大倍数，单位是“倍”，如10倍放大器，100倍放大器。
VO/VI表示输出电压比输入电压，就是电路的电压增益，也叫电压放大倍数，结果是一个没单位的数字，当然后面跟着“倍”字。如上则IO/Ii，Po/Pi则分别为电路的电流放大倍数与功率放大倍数，也就是电流增益及功率增益。
还有输出端反馈回输入端的反馈信号。运算放大器开环增益是不加负反馈时的电压放大倍数，闭环增益是组成带有负反馈的放大电路时的电压放大倍数。前者是运放（器件）的参数，后者是实际电路的参数。
当改用“分贝”做单位时，放大倍数就称之为增益，这是一个概念的两种称呼。
1、G时代，万物互联时代。 5G网络拥有超高的网速和更低的延时，为VR/AR技术以及各种云服务提供了基础，这些产业都会在即将到来的5G时代大放异彩。
2、G是第三代移动通信技术，是指支持高速数据传输的蜂窝移动通讯技术。3G服务能够同时传送声音及数据信息。3G是将无线通信与国际互联网等多媒体通信结合的一代移动通信系统。
3、G是模拟的信号 代表作：大哥大 2G是数字的信号 主要用途手机能发短信了 2G可以划分为5G和75G 主要就是5G通过GPRS，75G通过EDEG、CDMA技术。
4、从1g到5g时代，主要变化如下：1G时代：只能语音传输，1G表示第一代移动通讯技术，以模拟技术为基础的蜂窝无线电话系统，如现在已经淘汰的模拟移动网。1G无线系统在设计上只能传输语音流量，并受到网络容量的限制。
5、G是英文Generation的缩写，3G指第三代移动通信技术。相对第一代模拟制式手机（1G）和第二代GSM、TDMA等数字手机（2G），第三代手机一般地讲，是指将无线通信与国际互联网等多媒体通信结合的新一代移动通信系统。
6、我们所知道的1G、2G、3G、4G 和 5G 代表五代移动网络，其中 G 代表“世代”，数字 4 和 5 代表世代编号。自 1980 年代初以来，我们几乎每十年就会看到新一代移动网络。
1、台湾目前在外面大家比较知道的MOS品牌：NIKO-SEM尼克森，UTC友顺，APEC富鼎先进，ANPEC茂达 前面三家高中低都做。都没有自己的晶圆厂，都是设计公司，基本上大陆和台湾封装都有。有自己晶圆厂的UBIQ力祥，不是很有名。
2、电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
3、耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
4、或者PLL参考电压等位置则是台系MOS的天下，因为价格便宜。常见牌子例如ANPEC、NIKOsemi，APM3004/APM3009，P75N02。不过最近也有个新锐出现，那就是UBIQ。
5、华基是一家集研发、设计、销售服务于一体的创新型半导体科技公司。主要产品包括MOSFETs中高低压场效应管，Diodes肖特基/整流二极管，Transistors晶体三极管等分立器件。
6、MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。定义：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和积体电路的电子材料。
半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。
最早的半导体材料以硅（包括锗）为主。随着信息发展，人们需求的增加，出现了以砷化镓（GaAs）等为代表的半导体材料，算是第二代半导体材料吧。现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS)，碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。
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