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一般熔丝熔断时间较长,不能起到保护作用启轿李,所以可控硅要用快速熔断器保护。
一般熔丝不能代替。
熔断器(fuse)是指当电流超过规定值时,以本身产生的热量使熔体熔断,断开电路的一种电器。熔断器是根据电流帆模超过规定值一段时间后,以其自身产生的热量使熔体熔化,从而使电路断开;运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器悄迟广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中,作为短路和过电流的保护器,是应用最普遍的保护器件之一。
分为控制电路的电子保护和主电路保护。
主电路保护常见得有:电流保护和电压保护以及电压上升率保护;
控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护;
主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器,过压保护采用并联压敏电阻。
电压上升率保护采取并联阻容吸收电路。
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大明岩功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变大槐扒、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照滚昌相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
【可控核租橘硅最大的控制电流】普通可控硅控制电流分为:1A、2A、4A、6A、8A、10A、12A、16A、20A、41A,大的有 70A。再大改团的就要可控硅模块了,它含有保护电路:100A、150A、300A、500A、1600A............,可以根型灶据需要达到很大。
【可控硅】晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
这里介绍一种采用霍耳元件作为传感器的可控硅过流过载保护电路,此外它还具有过热保护功能和声光报警功能.
它的基本工作原理是这样的,由两个U形磁体与两个三端型集成霍耳元件组成一个带有一定间隙的闭合磁路,作为电流的检测系统,通过负载及可控硅电流的导线从磁路平面的中心穿过,在磁路中产生一个交变磁场。当通过可控硅的电流值在额定范围之内时,它在磁路中所产生的磁场强度较小,低于霍耳元件的动作磁场强度,保护电路不动作。而一旦发生过电流情况时,由于磁场强度大增,将超过霍耳元件的动作强度,霍耳元件将被触发翻转,同时也触发保护电路,使其关闭主电路可控硅的触发电路,并使可控硅在过零之后关断。
电路中IC1和IC2为霍耳集成电路ULN3020,在平时正常工作时它们的输出端役脚始终都为低电平,D2、D3截止,可控硅T1也处于关断状态,发光管L4不发光,正电源通过R6、L1、IC4、R5、VT到地形成一个回路,如果控制开关三极管VT的基极为高电平,它将处于导通状态,从而使过零触发器IC4开通,触发双向硅T3导通,负载RL得电工作,它们的电流将在磁路中产生一个交变磁场,陵举当磁场强度的峰值没有达到两个霍耳元件的开通磁场强度时,IC1和IC2都保持原态不变。而一旦由于负载不正常,或其他原因导致电流异常增大时,IC1和IC2中有一只将处于短时高电平衡汪闹输出状态,从而通过D2或D3触发可控硅T1导通,D5导通, 使过零触发器IC4关断,而可控硅T3将在电源过零后关断。与此同时,发光管L4点亮,D4也导通,蜂鸣器BU发出报警声,可控硅T1能够一直保持导通状态,直到关闭控制电路的电源为止。
在这个电路中还有一套可控硅过热保护电路,其中IC3为一只TO-220方式封装的型号为67L070二脚温度传感开关元件,它的动作温度为70℃,在平时常温状态下为常闭状态。它被安装在可控硅T3的散热器上。当可控硅由于过负荷或其他原因而使功耗大大增加,一旦散热器的温度达到70℃时,IC3将从常闭转为常开,这时T2将通过R10触发导通,D6也导通,使IC4断电截止,同时也使可控硅T3截止。与此同时,D7也导通,发光管L3被点亮,D6导通,蜂鸣器BU工作,发出报警声音。可控硅T2也能够一直保持导通状态。最后直到关闭控制电源为止。
使霍耳元件动作的电流大小可以通过调整两个U形磁心之间的间隔来决定,对于本电路所使用的40A可控硅来说,应将通过它的最大电流限制在小于40A,这里所使用的磁心截面为5mm×4mm,两磁心之间咐罩的间隔约为2.0mm左右,但由于不同磁性材料导磁率存在的差异以及霍耳元件的参数差异,具体间隔可能略有不同,实际保护电流的大小最好通过实测决定,并用胶封固在印刷板上。对两只霍耳元件安装的要求是,对正磁心截面,印字全部朝向一个方向。只有这样才能使两只霍耳元件分别检测交流电流的正负半周。
为了作进一步的保护,在主电路 还设有一个32A的空气开关,它的作用也是保护可控硅,同时也作为主电路的控制开关使用。
该保护电路的不足之处是当负载及电路发生严重短路问题时,对可控硅的保护作用略显不足,因为也曾经出现过可控硅被烧短路的情况,这主要是由于在保护电路动作之后,可控硅只能在电源过零之后才能自然关断,而空气开关的分断速度也是有限的。所以在必要时应采用“快熔”等其他措施来进行最后的短路保护。
该保护电路被大量应用在自行设计的4000W箱式电炉的温度控制器上,已经正常工作了四年时间,曾多次成功地避免了因负载异常而导致的过电流故障。
可控硅过电流保护主要有:快速熔断器保护、过电流继电器保护和过流截止保护等
晶闸管元件的主要弱点是承受过电流和过电压的能力很差,即使短时间的过流和过电压,也可能导致晶闸管的损坏,所以必须对它采用适当的保护措施。
1. 过电流保护
晶闸管出颤宏现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下几种:
快速容断器 快速容断器中的溶丝是银质的,只要选用适当,在同样的过电流倍数下,它可以在晶闸管损坏前先溶断,从而保护了晶闸管。
过电流继电器 当电流超过过电流继电器的整定值时,州洞轿过电流继电器就会动作,切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间,所以只能用作晶闸管的过载保护。
过载截止保护 利用过电流的信号将晶闸管的触发信号后移,或使晶闸管得导通角减小,或干脆停止册肆触发保护晶闸管。
2. 过电压保护
过电压可能导致晶闸管的击穿,其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或晶闸管在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施
阻容保护 阻容保护是电阻和电容串联后,接在晶闸管电路中的一种过电压保护方式,其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性,把过电压的能量变成电场能量储存在电场中,并利用电阻把这部分能量消耗掉。
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