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三极管基级没有接通,集电极和发射级不会接通。你做试验时测量集电极有电压是对的,因为集电极电流为0,集电极电阻RC中没有电压降,那么电源电压直接传到集电极上了。如果集电极上没有电压说明管子的CE结击穿了。
基极没有电流,三极管就不会导通。如果集电极和发射极之间电压过大会导致击穿,另外质量不好的管子会有稍大的漏电流,但那都是不受控的,不属于“导通”。
当三极管的发射结处于正向偏置且注入电流大于负载电流除以三极管放大倍数(倍特)时三极管就处于导通状态。即发射极和集电极可以导通(但是有方向的)。
晶体管不是线性电阻,不同的测量条件有不同的数值,不能确定它的大小。如果落在放大区,电流倒是比较确定的,等于Ic=IbXβ,集电极与发射极之间的等效电阻R=Uce/Ic,可见电阻不是常量,它与电压Uce成正比。
对于 NPN 型的三极管,通常可认为发射极接地,基极的电压,应设为 0.7V。此时,发射结就是正偏,电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流,主要是由发射区(N型,自由电子极多)向基区发出的电子构成的。
集电极和发射极间的电阻没有专门的名称,一般称三极管饱和时的集电极与发射极间的电阻为饱和电阻,不同的三极管饱和电阻差别很大,同一个三极管在不同放大状态时(Ic不同)集电极和发射极之间的电阻变化非常大。
1、三极管电阻的大小与三极管的类型、型号、不同电极间、正反向都有关。一般正向电阻都要小于几千欧姆,反向电阻都会大于几千欧姆。
2、至5欧。三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
3、硅管:PN结的正向电阻大约3--10kΩ,反向电阻大于500kΩ;锗管:PN结的正向电阻大约500--2000Ω,反向电阻大于100kΩ;(用此法还可以判断硅管和锗管)。
4、基区体电阻,也叫基区电阻,取决于基区的面积、厚度、掺杂浓度。
1、这样三极管导通时,电阻为很小,与集电极10K欧姆电阻分压,几乎等于0了,这样在集电极上就是低电平呀。
2、锗管:PN结的正向电阻大约500--2000Ω,反向电阻大于100kΩ;(用此法还可以判断硅管和锗管)。
3、三极管导通电阻大,场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现用电器件上,一般都用场效应管做开关来用,他的效率是比较高的。
4、三极管导通后,由于载流子的作用,失去了PN结典型导电特征。只取决于材料和工艺。CE之间在饱和导通的情况静态内阻是相当小的,大概是0.X-X欧的数量级。
这个地方实质上不是电阻;从伏安特性曲线上看,可以等效成一个非线性电阻,它的阻值变化不是简单的一元或两元方程可以表示的;电阻的瞬时值可以参考三极管放大输出特性曲线算出。
晶体管不是线性电阻,不同的测量条件有不同的数值,不能确定它的大小。如果落在放大区,电流倒是比较确定的,等于Ic=IbXβ,集电极与发射极之间的等效电阻R=Uce/Ic,可见电阻不是常量,它与电压Uce成正比。
三极管导通后,由于载流子的作用,失去了PN结典型导电特征。只取决于材料和工艺。CE之间在饱和导通的情况静态内阻是相当小的,大概是0.X-X欧的数量级。
集电极和发射极间的电阻没有专门的名称,一般称三极管饱和时的集电极与发射极间的电阻为饱和电阻,不同的三极管饱和电阻差别很大,同一个三极管在不同放大状态时(Ic不同)集电极和发射极之间的电阻变化非常大。
1、三极管导通电阻大,场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现用电器件上,一般都用场效应管做开关来用,他的效率是比较高的。
2、晶体管是电流控制器件,而场效应管是电压控制器件~~场效应管的栅极是接信号的地方,栅下是绝缘层,可理解为内阻无穷大~两种晶体管内阻的比较与他们应用的不同方式有关。
3、三极管是一个用电流控制的元件.场效应管是一个用电压控制的元件。
三极管导通后,由于载流子的作用,失去了PN结典型导电特征。只取决于材料和工艺。CE之间在饱和导通的情况静态内阻是相当小的,大概是0.X-X欧的数量级。
三极管电阻的大小与三极管的类型、型号、不同电极间、正反向都有关。一般正向电阻都要小于几千欧姆,反向电阻都会大于几千欧姆。
以9013,9014为例,用MF-47型万用表R*1K档测量,Rbc=Rbe=5kΩ。Rcb,Rce,Reb.Re均为无穷大。换用*1,*10,*100档位测量,反向电阻都是无穷大,正向电阻值的读数大约是5,50,500。
不是!你测量出来的300~800Ω不是三极管的(直流)阻值!而是三极管的正向导通压降!200~300的是锗管;550~750左右的是硅材料管。
用指针万用表1k档测量的话,be间电阻大约在3~5kΩ,bc间电阻也是3~5kΩ,ce间电阻在10MΩ以上。
电子管有的用于功率放大,有的用于润色即电压放大。胆机三极管接法电阻取8K。电阻(Resistor,通常用“R”表示)是一个物理量,在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大,表示导体对电流的阻碍作用越大。
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