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1、建议：设计一个原理图，然后自己做板子调试。
2、使用p mos管，可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器，但是会增加成本并且体积增大。
3、可以用最基本的BUCK降压电路，采用功率MOS管作为开关管，用3525产生PWM波，占空比用24/500，该PWM波经IR2110放大增强驱动功率MOS管。BUCK电路网上很容易搜到，根据IR2110的中文资料可以连接出驱动电路。
1、如果采用三极管和MOS管的结合，那么只要把Q2和Q4替换成N沟通的MOS管就可以，因为N沟通的MOS管比较成熟，也比较常见，价格也OK。
2、对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可，当电机需要双向转动时，可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。
3、控制2个电机A 和B的电路，每个电机1组H桥需要4个mos 管，所以有8个。
4、可以中功率对管，B772/D772，价格也不贵。
5、一般控制直流电机正反转用H桥，H桥由多个功率三极管或功率mos管组成。
IR2110高端的驱动供电是靠两个MOS管公共点的脉冲取得的，必须要主电路供电后，HO才能输出主电源+VS的幅度（对电源负端测量）驱动信号。
只能驱动一个桥臂，如果非要用它的每一路输出驱动一只上管和另外一路的下管的话，会短路的，不信你仔细分析一下2110的接线图。
按照这个电路设计高端是不会产生负压的，要产生负压，必须在高端输出为截止时，VCC给电容C3有效充电。
这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。
1、三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流本地开关电路。三极管比照廉价，用起来便当，常用在数字电路开关操控。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极操控电流比照活络的本地。
2、输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。
3、d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。
4、PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动，半桥输出、H桥输出和三相全桥输出。
5、从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容，这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道，电容从零电压充电到额定电压是需要时间的，电容容值越大所需的充电时间就越长。
6、应该要的，一般光耦驱动电流很小50ma max.如果你的驱动频率很高，因为s-d极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。
单片机输出PWM，改变其占空比来控制MOS管的导通角，从而改变灯的亮度。占空比位1和0，灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。
你好：你的单片机的IO是开漏输出的，因此你加的R26这个上拉电阻，但R26取值100K有点大，把R26减小如改为10K看看，如果还高就再减小。
V单片机驱动5V、12V继电器，不宜用mos管，MOS管开通电压较高，3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子，12V时最好用NPN管子。
常用的单片机一般分为5V单片机与3V单片机，单片机的IO口输出的高电平电压最高是可以接近电源电压的，但会比电源电压小一些。
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