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mos管G极阻抗很高,很容易积累静电,而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
gs有电压差到一定程度的时候,mos管就会打开,这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压,这样可增加mos管的抗干扰能力。
泄放电阻,防止静电击穿GS结以及把G极可能的残留电荷导向地。
MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是:改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡,减小输出电压尖峰,从而防止MOS管被烧坏。满意请采纳。
本来信号撤离,需要ds关断,现在是导通,工作紊乱容易损坏mos管。g级前串进来的电阻,对驱动电阻有影响。gs之间可以等效为一个电容,即驱动给串联的RC充电,R越大,充电越慢。建议看下mos管的驱动过程,了解米勒平台等等。
如果源级电压小于漏极电压,那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压,也就是开启。如果源级电压高于漏极电压,那两者就反过来了,还是开启。
反向也是可以通的,当MOS管导通,D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路,可以看出导通方向是S到D,不是D到S。
mos防反接一般用于大电流,二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻,稳压管作用是稳定VGS电压,保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
只要GS间电压够大,就可以导通了,截止的话就是倒过来,GS间电压够小就截止。
你说的是八脚封装的mos反接吧,其实就是本来123为S,4为G,5678为D,反接了就是GS直接导通了,因为接在D的PCB板上。而且PCB板上的GS也被D的引脚导通了,出现的问题是DS也被导通了,通过DS之间的体二极管。
IRF540N的导通起控电压为2-4V,GS极之间最高电压不能超过20V,质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通(内阻最小),所以使用时如果有脉动或尖峰电压时,最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。
所以,MOS管的反向压降就是二极管的正向电压,大约是1~5V。
这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识:栅极悬空是不允许的,会击穿。
好奇葩的问题!如果源级电压小于漏极电压,那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压,也就是开启。如果源级电压高于漏极电压,那两者就反过来了,还是开启。
以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。
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这个看应用在哪个模块,一般电源管理芯片有多个类别:线性低压降稳压器(LDO)。正、负输出电路。带有脉宽调制(PWM)的开关型电路。国产电源管理IC的话,推介英锐恩的EN405EN406EN4056。
广东这边么,我知道的做锂电池保护IC的品牌就很多呢。比如像深圳的HLEC&SIT这个品牌,这个牌子的锂电池保护IC我个人感觉还可以,我主要的话是看这个品牌的时间。
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1、你在栅极施加的电压只有5V(对于单管而言我认为栅极电压低了,一般应该在12V左右比较好),这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大,所以输出只有8V。
2、gs导通几种情况有:GS幅值超过平台电压才能导通。MOSFET的GS之间需要电阻在1k~10k,可以防静电导通。GS超过平台电压以后,DS之间无论有没有电路,都是导通的。
3、S到D,若SG之间电压大于Vgs很多(不是刚刚超过Vgs),则S到D之间电阻与D到S电阻相同,为相当小的数值,可称为Ron。这种情况下,管子的压降往往比体内二极管小,故S到D电流不会通过体内二极管。
4、如果电阻很小,就是mos的ds击穿了,换一个mos管试一试,如果是np结电压在0.7v左右,那可能是选了个pmos带反向保护的。
1、GS极间没电压,如果是NMOS管,原因多为漏极开路,或者漏极负载电阻开路。
2、判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。
3、mos管在没有栅极电压驱动的时候电阻几乎是开路,当有栅极驱动电压的时候又几乎是短路,给一定驱动电压的时候电阻是变的。
4、用黑表笔接触管子的D极,用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时,万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降,那么该引脚即为S极(源极),剩下的那个引脚即为G极(栅极)。
5、MOS管带字的一面朝着自己,从左到右依次为:G(栅极),D(漏极),S(源极)。将黑表笔接在D极,红表笔接在S极上,此时,万用表指针应不动;然后再对换表笔,再测,此时,万用表指针应向右摆动。
6、判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏,就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
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