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mos管to（mos管to247引脚定义）

发布时间：2023-05-31
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本文目录一览：

MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管

法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

发热越小。并计算MOS管功耗。最后，根据以上参数：耐压，最大电流和功耗，选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择合适的封装。比如top3，to220，to263，to252，dfn8，qfn8，sop8，sot23，sot223等封装。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

mos场效应管p型和n型如何区分?

场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

）N、P沟道如何区分？箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向 N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。MOS管导通条件 N沟道：UgUs时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。

从结构上看，PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体，中间的基区是N型半导体，而NPN管的集电区和发射区是N型半导体，中间的基区是P型半导体。

不过一般说来，你看到的场效应管，90%以上都是N沟道增强型MOSFET，P沟道种类要远远比N沟道少得多，而且价格要贵一些。

S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。

n沟道mos管与p沟道mos管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?

1、测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。

2、用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。

3、可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

4、原理：利用万用表的两表笔给G-S充以正向电压，则D-S或S-D电阻很小。反之，两表笔给G-S充以负向电压，则D-S或S-D电阻很大，用万用表测应该是无穷大。做法：设A、B、C三引脚。

5、用万用表测量mos管10N65的好坏——电阻测试 当MOS管的栅端没有触发脉冲时，它的漏源电阻很高。电阻测试就是利用这个属性来测试mos管10N65是否有故障。测试也很简单，只需要一个欧姆表或万用表即可执行。

如何区分三极管、场效应管、MOS管?

外观：主要是看上面的印字，再查到该型号的资料就知道它是什么东东了！三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结，而MOS管则没有PN结，所以用万能表很容易测出来。也就是MOS管用万能表的电阻档怎么测它都不通。

主体不同 二极管：是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 三极管：也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。

区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。 三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。 作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

单片机可以驱动to220封装的mos管吗

应该不行，既然用单片机处理，那么一般希望mos管工作在开关状态。因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。

这个要看你的MOS管是怎么样的，不同的MOS管驱动电流（就是MOS管G级电容充电所需电流）也不尽相同，还要看MOS管导通电压，一般MOS管Vgs 4V以上才开始导通，完全导通需要的电压更高。

如果考虑两级电压的影响的话（EMC），也可以使用光耦。如果用在频率比较高的场合：如：PWM ，SPWM 发生等，则需使用专用的驱动芯片 高速光耦，或者是图腾柱输出电路等。

关键词：电阻 mos管 寄生二极管 二极管方向 区分三极管 电容

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