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1、不对。两个PN结都导通,这时三极管处于饱和状态,即开关电路的“开”状态。这时CE极间电压小于BE间的电压,三极管没有放大作用。两个PN结均反偏,即是开关电路的“关”状态,三极管完全截止。以上两种状态只能用在开关电路中。
2、两个PN结指集电结、发射结;三个区指放大区、截止区、饱和区。
3、保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说发射结正偏,集电结反偏。
4、是的。要使三极管处于放大状态的时候,发射极一定要正偏,而且Ube一定要大于发射结的导通电压。如虽然发射极是正偏,但Ube小于发射结的导通电压时,三极管还是处于截止状态。三极管处于放大状态的时候,集电极一定是反偏。
5、两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
1、PN结作用:正向特性:正向导性,即给PN结一个正向的电压它就导通,一般压降为0.3-0.7V。反向特性:可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内,可以起到稳压的作用,稳压二极管就是这个原理。
2、二极管只有1个PN结,主要特性是单向导电,三极管有2个PN结,其主要作用是放大或者作为开关用。
3、但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。
1、SP强阳离子交换柱SP是只是凝胶母体联的一种带负电的基团所以是强阳离子交换柱。这两个都是强阴离子交换层析介质,不同的是生产厂家不一样,其它的并无太大的区别。
2、这是包含关系。质子交换膜是阳离子交换膜中的一种。
3、所谓的离子交换柱,就是把一定比例的阳、阴离子交换树脂混合装填于同一交换装置中,对流体中的离子进行交 换、脱除。离子交换柱(混床)的分类:混床按再生方式分可分为体内再生混床、体外再生混床、阴树脂外移再生混床三种。
三极管工作的三个区分别是截止区、放大区和饱和区 截止区:三极管工作在截止状态,当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压,发射结没有导通集电结处于反向偏置,没有放大作用。
它们都有两个PN结(分别称为发射结和集电结),三个区(分别称为发射区、基区和集电区),从三个区域引出三个电极(分别称为发射极e、基极b和集电极c)。
三极管三区是发射区、基区、集电区;三极是集电极、基极、发射极;二结是集电结、发射结。
晶体三极管内部结构的三个区是发射区、基区和集电区,两个结是发射结和集电结;按PN的排列顺序不同可分为PNP型和NPN型。
晶体三个电极、三个区,分别是集电极(区)、基极(区)、发射极(区),二个PN结分别是集电结和发射结。三极管的放大系数太大了会造成性能不稳态,所以没有越大越好的说法。
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
PN结是构成二极管的,而NPN或PNP是三极管,它是由两个PN结构成的。这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍,但是其内部结构只有有个了解认识就行了,不用深入研究,没有实际的用途。还是主要学习PN结的作用。
在一块纯净半导体中,由两端分别掺入3价和5价元素,则一部分成为P型半导体,另一部分成为N型半导体,在两部分交界的地方会形成一个特殊的薄层,称为PN结。PN结是构成二极管和三极管等多种半导体器件的基础材料。
采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PNP是另一种类型三极管。
p-n结是半导体单晶内两种半导体材料p型和n型之间的边界或界面。“p”(正)侧包含过量的空穴,而“n”(负)侧在电中性原子的外壳中包含过量的电子。这允许电流仅沿一个方向通过结。
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