硅光电二极管（硅光电二极管的全电流方程以及各项的物理意义）

发布时间：2023-06-01

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波长370纳米以下，透射深度大于20纳米。硅在可见光探测领域是最理想的材料之一，也是紫外光电传感的常用材料。硅材料对紫外光的响应度较低，这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长370纳米以下，透射深度大于20纳米)。

然而，如果光强足够大，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

在0.6～0.9μm波段，硅APD具有接近理想的性能。InGaAs（铟镓砷）/InP（铟磷）APD是长波长（3μn，55μm）波段光纤通信比较理想的光检测器。

峰值波长为880到900nm。非晶硅光电二极管的光谱范围为400到1100nm，其峰值波长为880到900nm，这与GaAs红外发光二极管的波长相匹配，可获得较高的传输效率。

主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电压；n与材料、器件结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。

有4种型号使用硅晶体雪崩光电二极管和2 种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50 兆赫和200 兆赫的标准频带宽度可以适应大范围应用。

硅光电二极管（硅光电二极管的全电流方程以及各项的物理意义）

光电倍增管，优点：灵敏度高。缺点：体积大，结构复杂，驱动检测电路复杂，硅光二极管，优点：体积很小，结构简单，成本低，使用电足简单。缺点：灵敏度稍低。

简单来说，光电二极管不能放大信号，光电倍增管能放大信号，因此一般用作微弱光的检测。首先原理是不同的。

而光电二极管没有放大能力，直接把光信号转变为电信号，光强探测范围广，价格便宜。

硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。

高精度的紫外分光光度计等，都是必须使用光电倍增管的。但是光电倍增管也有其缺点，缺点就是体积大，不如光电二极管那么小巧，不如CCD那样可以成阵列，所以在大部分低精度的光谱检测的时候，科学级的CCD就比光电二极管方便。

硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。

光敏二极管是对光敏感，也就是说在有光照和无光照时二极管的反向电阻不一样。

看你做哪方面的器件，光纤通信，光电显示，光电探测，生物医学成像等都是不同，所需知识也有区别。

硅光电池主要是用碳化硅制作的芯片，材料需要高温烧结形成芯片的材料。热敏电阻一般是半导体材料，半导体材料的导电性能也就是电阻率受光，热等因素的影响。

硅光电池和光敏二极管就是利用反向结特性工作的器件。硅光电池作为太阳能电源在人造卫星上已得到应用，中国“东方红”2号人造卫星就使用了硅光电池。目前硅光电池能量转换效率已接近15%的理论值。

硅光电池是一种太阳能电池，具有低碳环保的优点.硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。