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找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。
mos输入阻抗大(在正常工作范围内可以认为是无限大)，GATE浮空时容易积累压差。而BJT(三极管)输入阻抗小。
选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。
P沟道也一样，看你把输出端连接到MOS管的哪一脚，P沟道截止一样可以输出高电平的。当然如果都接漏极，就会是你说的P沟道低，N沟道高了。
1、电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
2、场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
3、由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
4、通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
大电流吧，因为继电器有接触电阻啊，通过大电流肯定会发热。或者有可能你驱动电压不够，导致不完全吸合，致使发热。
第一：负载过大，比如用10A的继电器去负载12A的；第二：供给的电源过大，比如12V的继电器提供24V的电源了。
继电器发热的现象及原因：接点部位中心发生异常发热，且接点有熔断、熔解、溶解固化等现象发生，动作不良。那是因为接点反复开关造成开闭电弧的连续发生。
继电器正常工作状态应该是发热不烫手的，如果继电器线圈和工作电压正常的情况下，有可能是继电器触点发热或者触点电流超过额定电流，电机有故障或者电机功率过大都会造成触点电流变大。
漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。
选型时候，电压要大于额定电压尖峰值20V左右（不可太高），电流可以选择容量大的，同时查看下导通阻抗，越小越好。另外，建议采用IGBT，效果比MOS好，但是价格偏高些。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
电机的额电流为3A，启动的电流会更大（应该差不多2倍吧）。所以MOS管要选电机的额定电流的3倍以上才安全，也就是说要9A以上，还要有足够的散热。
华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS，有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。
最好的肯定是英飞凌啦，特别是C3系列的比一般的品牌要高一个档次。其次低压比较出色的是IR，高压的也不少，比如仙童，富士，ST。东芝的现在在消费类才比较有市场。现在市场上新推的Cool-Mos，英飞凌的也是最好。
ID =-50A RDS(ON) 13mΩ @ VGS=-10V，TO-252 28P55，VDS =-55V，ID =-30A RDS(ON) 40mΩ @ VGS=-10V，TO-252 。。还有封装形式要注意。TO220的有IRZ44/60N06，还有一些性价比高的国产MOS管。
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