包含三极管的输入阻抗的词条

发布时间：2023-06-01

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输入阻抗是RBE，如果发射极有电阻RE的话则阻抗会增加到RBE+（hFE+1）*Re.因为发射极电流是基极电流的（hFE+1）倍，RBE是基极电流，为了统一计算单位所以变成基极电流以后再计算。具体详见模拟电子技术教科书。

旁路电容器通常应用于电路的两个位置：一个位于电源上，另一个位于每个有源设备(模拟或数字IC)上。位于电源附近的旁路电容器通过存储电荷并在必要时释放电荷(通常在出现尖峰时)来消除电源中的电压降。

电压增益：A=Rc/Re 限制是A必须小于三极管的β值。输入阻抗：Ri=Rb1||Rb2||（βRe）交直流工作点：设Vo=VCC/2使得输出波形得到最大的电压范围，三极管饱和导通时Vo=VCC*Re/（Rc+Re），三极管截止时Vo=VCC。

HFE是三极管直流电流放大系数简称。H：Hybrid； F：forward；E：common emitter（共射接法）其实就是三极管的电流放大倍数。

因为一个靠维持电压控制导通电流，一个靠维持电流控制导通电流。相对于多级晶体管，场效应管输入阻抗肯定高。

因为共集电极放大电路的输入阻抗，相当于把发射极电阻Re放大了β倍，所以输入电阻是很高的。输出电阻，其中Rs为信号源内阻。由此可见射极输出电阻Ro比接在输入端的信号源内阻小β倍。

这是因为三极管的特殊结构决定的：基极所在的基区非常薄，只有几个微米（人头发直径是70～80微米），另外，各区的掺杂浓度不同，发射区最浓，掺杂最多，基区中等，集电区最稀，掺杂最少。

1、Ri就是三极管BE两端的电阻 Ro就是CE两端的电阻。但不是用一般的电阻表测量出来的固定数值，而是一个变化的非线性值。

2、所谓的输入阻抗与输出阻抗指的是交流输入阻抗与输出阻抗。在加入交流信号时，信号交流电压与注入基射间信号交流电流的一个比值，此时的be等效为阻抗z，称为输入阻抗。频率低时可忽略电抗部分，只考虑其电阻值，这就是输入电阻。

3、这两个参数和三极管没有关系，只和电路结构有关系。不会对三极管产生影响。简单的说就是同样的三极管，在不同的电路形式下输入电阻可能为高也可能为低，依电路结构而定。

4、三极管输出电阻越小越好，表明其带负载能力强，自身损耗低；输入电阻越大越好，向上一级索要的能量小，对上级影响也小。

5、一个指单独的三极管输入电阻 r(be)；另一个是放大器的输入电阻 Rb1//Rb2//r(be)，放大器是由三极管及外围元件组成的，二者概念不一样。

6、因为共集电极放大电路的输入阻抗，相当于把发射极电阻Re放大了β倍，所以输入电阻是很高的。输出电阻，其中Rs为信号源内阻。由此可见射极输出电阻Ro比接在输入端的信号源内阻小β倍。

包含三极管的输入阻抗的词条

三极管输入电阻，就是发射结电阻，包括接触电阻 rbb，以及PN结导通等效电阻。rbb 大功率三极管一般取 200欧，小功率三极管，取 300欧。PN结等效电阻 26mV/ibq 。

三极管的输入电阻rbe=1k左右，输出电阻RC~=RC//RL.光敏三极管不是用导通电阻参数来表达的，光敏电阻是用亮电阻和暗电阻来表达的。光敏三极管的主要参数是光电流 IL 和暗电流 ID。

Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数，单位是Mv，Ie是发射极电流，单位是Ma，电阻单位计算出来是欧。