mos管栅极（mos管栅极电阻的作用）

发布时间：2023-06-03

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MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

GSD分别是栅极，源极，漏极。栅极控制开关，源极载流子流入，漏极载流子流出。nmos管载流子是电子，所以一般源极接低电压，漏极接高电压。pmos管载流子是空穴，所以一般源极接高电压，漏极接低电压。

若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。

mos管栅极（mos管栅极电阻的作用）

Pmos要截止，由于电机接了12V电源，需要栅极接12V才能关闭。对于PMOS来说，和PNP类似。需要把12V当零，GND当做-12V。这时，0V截止，负电压导通。接的+5V相当于-7V，当然要导通了。

MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS管栅极悬空：Vg输入高时，N管会导通，使得P管的栅极为低，P管的DS导通。Vg为高阻态时，Vout输入不定，检查发现P管的栅极电压变化不定。R2虚焊，从而导致了N管的栅极悬空，R2焊好，问题解决。MOS管的栅极不能悬空。

并不是阻抗大容易受到干扰，外界干扰会让G极感应出电势，阻抗越大，电压会升越高，所以G极就容易被击穿。如果有一个低阻抗通道，电势就通过低阻通道流过，而不用升高电压乃至击穿器件甚至空气形成回路。

这个压差表现出来的结果就是所谓的静电积累现象，由于MOS管的G是个高阻抗，故而两端积累的电荷得不到中和会不断积累，而且存在很小的结电容，根据C = Q/ U可得U = Q / c，显然很少量的一点Q就能得到很大的U。

1、电压过低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断。mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。

2、不会完全关断，在阈值电压附近，电阻斜坡式增加。

3、作为跟随器，输出电压幅度将小于输入信号幅度，因此3V电源很难输出2V电压。应该使用P沟道管，做成共源放大电路（上面为S极），才能将电源电压满幅度输出。

4、你这个是不是要的是Vgs（th）=2-4V呢，而不是Vgs=2-4V。Vgs（th）是MOS管的开启电压，一般来说，只有Vgs（th）才会这么小的。