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1、第一步:将万用表置于二极管档测量,用红表笔接控制器负极,黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线,读数约在500左右(数字万用表),三次读数应基本一致。
2、用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。然后调换红黑表笔,再去测量D-S两极,则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降(见上图)。
3、用测电阻法判别无标志的场效应管:首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
4、这三根粗黄线实际上是三根相线。 做完以上准备工作后,按以下三个步骤操作,即可判断控制器好坏。
5、如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。(整体如图)根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
1、耗尽型:场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活。
2、用N沟来说吧,如果G高于S时候导通(比如VGS=3V)那就是增强型的,如果G低于S时候就可以导通,那就是耗尽型的。用万用表测量,如果GS短路时候DS导通了,那就是耗尽的。
3、工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型,即耗尽型场效应管。当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型,即增强型场效应管。
4、所谓的增强还是耗尽,主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下,反型层不存在,电压加到一定程度后,反型层才出现,这个就是增强。
5、耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在。也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0。通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET。
6、简单来说,增强型MOS,VGS=0时,不导通,加上正向的VGS后才导通。耗尽型MOS,VGS=0时,也导通,其他特性好像是一样的。我们一般使用的都是增强型MOS。选择MOS管,首先要考虑VGS,VDS电压。漏源级电流ID。
1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
2、三极管和MOS管的区别:工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
3、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管,比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件,这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
4、性质上的区别 三极管,是一种控制电流的半导体器,是半导体基本元器件之一,是电子电路的核心元件。
5、三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。
6、mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件,用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice(集射电流)=βIbe(基射电流)。
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