Mos管驱动芯片（mos管驱动芯片VS端搭在哪儿）

发布时间：2023-06-03

阅读量：65

本文目录一览：

MOS管是一个ESD敏感元件，本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以很容易受外界或者静电影响而带电，容易引起静电击穿。

缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

Mos管驱动芯片（mos管驱动芯片VS端搭在哪儿）

驱动芯片一般起驱动作用，恩，就是把输入的弱电信号放大成足够强，适合于外部设备的强电信号，需要安培级的驱动电流一般是驱动电机或者电力电子设备等等。

通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。

为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

1、IR2110是一款高低侧驱动的MOSFET和IGBT驱动器。使用IR2110驱动单个MOSFET管的基本步骤如下：连接电源：将VCC引脚连接到5V或12V的电源，将COM引脚连接到地。

2、我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

3、IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。

4、该驱动电路采用IR2110驱动芯片来控制MOSFET管的开关状态，实现电源输出电压的稳定调节。该电路的基本原理是，在输入电源的直流电压作为主电源的基础上，通过MOSFET管和电感器等元件，将电源的输出电压转换为需要的降压电压。