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1、击穿指的是正向和反向击穿。正向击穿一般是由于负载过重，电流过大所致。
2、三极管工作时其集电极-发射极通常反偏，所以叫做反向击穿，其实就是从集电极到发射极击穿了。三极管软击穿：硬击穿是一次性造成器件的永久性失效，如器件的输出与输入开路或短路。
3、三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。
4、三极管BE结反向击穿，该三极管已报废，不存在HEF，唯有bc结可作为二极管用，具体参数视该管原参数定，如原是大功率管，此时可作整流用，电流与之前相同。
5、三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。
三极管击穿电压的测试电路 V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。
) V(BR)CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。
在一些特定的情况下三极管的特性变坏，比如电压比较高时（还没到真正的击穿电压），或温度较高等等。用万用表测量不出来性能已经变坏，但是装在电路上却不能正常工作。另外一种就是轻微击穿。
BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。常用管约20V~2000V。BVcbo ： E极开路，C-B极反向击穿电压。BVcbo比BVceo略大。BVebo ： C极开路，E-B极反向击穿电压。
加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。
三极管击穿电压的测试电路 V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
三极管工作时其集电极-发射极通常反偏，所以叫做反向击穿，其实就是从集电极到发射极击穿了。三极管软击穿：硬击穿是一次性造成器件的永久性失效，如器件的输出与输入开路或短路。
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。
三极管BE结反向击穿，该三极管已报废，不存在HEF，唯有bc结可作为二极管用，具体参数视该管原参数定，如原是大功率管，此时可作整流用，电流与之前相同。
电压过高、电流过大都会令其损坏。在课堂上了解到，其实三极管被击穿还不至于到损坏，但其击穿后功率过高，过高会令三极管烧坏。
多次软击穿就能造成硬击穿，使电子装备运行不正常。
) V(BR)CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。
硅三极管的be极反向有稳压管的特性，可以当小功率稳压管使用，大约在6V左右。
) V(BR)CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。
反向击穿的现象发生在很多情况下面，比如二极管，三极管等等。
击穿指的是正向和反向击穿。正向击穿一般是由于负载过重，电流过大所致。
加在集电极c和发射极e之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uceo，加在集电极c和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Ucbo，加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。
还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结发热，该反向击穿电压随温度升高耐压降低，形成工作过程中的击穿，这种通常称为热击穿。问题二：NPN三极管击穿是什么原因 1\接线错误导致反压超过PN结耐压值。
三极管导通时集电极不是反向击穿。当三极管的发射结处于正向偏置且注入电流大于负载电流除以三极管放大倍数（倍特）时三极管就处于导通状态。即发射极和集电极可以导通（但是有方向的）。
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