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功率mos管驱动电路（功率mos管驱动电路十分讲究一般有）

发布时间：2023-06-09
阅读量：49

本文目录一览：

MOS管驱动芯片的工作原理?(以IR2110为例)

工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。

我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

IR2110是一款高低侧驱动的MOSFET和IGBT驱动器。使用IR2110驱动单个MOSFET管的基本步骤如下：连接电源：将VCC引脚连接到5V或12V的电源，将COM引脚连接到地。

IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。

驱动芯片：负责产生PWM信号并控制MOSFET管的开关状态。常用的驱动芯片有IR21LM5113等。MOSFET管：是实现开关电路的核心元件，通过PWM信号控制其开关状态，从而调节输出电压。

分析这个Mos管驱动电路原理

mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

BUCK开关电源MOS管驱动电路怎么做?

1、建议：设计一个原理图，然后自己做板子调试。

2、使用p mos管，可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器，但是会增加成本并且体积增大。

3、可以用最基本的BUCK降压电路，采用功率MOS管作为开关管，用3525产生PWM波，占空比用24/500，该PWM波经IR2110放大增强驱动功率MOS管。BUCK电路网上很容易搜到，根据IR2110的中文资料可以连接出驱动电路。

4、图一：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。其中R1=10K，R2 R3大小由V+决定，V+越高，R2 R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。

5、如果位于高端，则需要有自举电路提供给NMOS驱动电压Vgs，如果是位于低端，则直接驱动即可。

怎么提高大功率MOS管驱动电路的驱动能力

选择专用的MOS管驱动器试试，主要从提高驱动电流，反应速度、驱动信号的上升速度及下降速度等考虑。

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

换成P沟道管。mos管驱动电压不足会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。

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