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1、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。
2、光感传感器工作原理：利用激光技术发展而成的高性能传感器。激光，是20世纪60年代初迅速发展起来的又一新技术，它的出现标志着人们掌握和利用光波进入了一个新的阶段。
3、原理是光照度改变使光敏电阻阻值的改变，而引起光敏电阻两端电压的改变。电压变化信号通过传感器传到计数器上计数计时。光电门一端有个线性光源，另一端有个光敏电阻，门中无物体阻挡时光照射到光敏电阻上。
4、这是现在最常用的光学传感器，这种光学传感器是将发射器和接收器相互分离。能够检测比较大的物体。其原理和槽型光学传感器基本相同，在这里就不详细介绍了。
5、光电传感器是将光信号转化成电信号的器件，因此它的直接用途是测光，它还有计数，自动控制，摄影，录像，测距离等用途。接下来小编为大家介绍光电传感器的应用及光电传感器的工作原理。
1、在1899至1902年之间，德国学者赫兹的助手勒纳德提出光电效应中经典波动理论无法解释的三点是光的微粒性质的实验证据。勒纳德提出：其一，每一种金属表面都存在一个特征截止频率，频率再小，不管光强多大，都不能发生光电效应。
2、第三条也不能解释，因为根据经典理论，对很弱的光要想使电子获得足够的能量逸出，必须有一个能量积累的过程而不可能瞬时产生光电子。
3、光照和电子的逸出基本上无滞后现象，时差在10的-9次方秒左右，可忽略不计。光电效应里，电子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面射出，与光照方向无关。 可见波动理论永远不可能自圆其说。
内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
外光电效应中最常用的就是PMT，光电倍增管，主要用于探测弱光，如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。
光电效应的公式：hv=ek+w。其中，hv是光频率为v的光子所带有的能量，h为普朗克常量，v是光子的频率，ek是电子的最大初动能，w是被激发物质的逸出功。
光电效应：光电效应的材料通常为金属材料。光伏效应：光伏效应的材料通常为半导体材料。应用不同 光电效应：光电效应用于制造光电倍增管、光控制电器、光电倍增管等。
太阳电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏特效应，就是当物体受到光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。
1、是根据光电效应原理制成的。光电器件是指根据光电效应制成的器件称为光电器件，也称光敏器件，光电器件的种类很多，但其工作原理都是建立在光电效应这一物理基础上的。
2、光电三极管工作原理光电三极管，也称光敏三极管，是一种用于接收光信号并转换为电信号的器件。它由三个极接口，即正极、负极和中间极组成。
3、光电二极管、光电三极管就是利用这种材料制成的。当半导体受到光辐照时，自由载流子(自由电子与空穴)增多，电导变大，这种光电效应称为内光电效应，利用内光电效应可以制成光敏电阻，也可以制成光电池。
PSD 是基于横向光电效应的光电位置敏感器件。横向光电效应又称侧向光生伏特效应或殿巴（Dember）效应。
PSD指的是光电探测器件：PSD光电器件是一种光能/位置转换器件，由于位置量为模拟量输出，系统响应快，分辨率高，成本低，因此具有广泛应用的价值。
能量与频率成正比是他们的强度之和，光电探测器的输出功率值与光强度的关系是光强度等于单位面积的光功率。光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。
PSD光电位置信号与照射强度相关，以及PSD信号的非线性影响。PSD属于半导体器件， 一般做成P+I+N结构，具有高灵敏度、高分辨率、响应速度快和配置电路简单等优点， 其弱点主要是非线性。其工作原理是基于横向光电效应。
关键词：光电三极管 光电二极管 电传感器 横向耗尽光电器件 传感器 光学传感器 光电传感器 光敏电阻阻值 电阻 光电器件
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