关于光敏三极管特性的信息

本文目录一览：

• 1、光敏三极管的主要技术特性及参数有哪些?
• 2、光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池各有什么特点
• 3、光敏三极管与普通三极管有何异同？
• 4、光电三极管的基本特性
• 5、光敏三极管的特性

光敏三极管的主要技术特性及参数有哪些?

1、光谱特性

光敏三极管由于使用的材料不同，分为错光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。

2、伏安特性

光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。

3、光电特性

光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流IL与光照度之间的关系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，物拆察且在弱光时光电流增加较慢。

4、温度特性

温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。

5、暗电流ID

在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。

6、光电流IL

在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。

7、集电极一发射极击穿电压VCE

在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。

8、

最高工作电压VRM

在无光御拆照下，集电极电流Ie

为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。

9、最大功率PM

最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。

10、峰值波长λp

当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。

11、光电灵敏度

在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。

12、响应时间

响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1

X

10-3

---

1

X

10-7S

。

13、开关时间

1.脉冲上升时间tτ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10%

-

90%

所需的时间。

2.脉冲下降时间tt

:以输出脉冲后沿幅度的90%

-

10%

所需的时间。

3.脉冲延迟时间td

:从输入光脉冲开始到输罩茄出电脉冲前沿的10%

所需的时间。

4.脉冲储存时间ts:当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90%

所需的时间。

光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池各有什么特点

光敏电阻：

概念：常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

作用：光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。

组成：光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。

优点：

内部的光电效应和电极无关（光电二极管才有关），即可以使用直流电源灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关环氧树脂胶封装 (Coated with epoxy) 可靠性好 (Good reliability) 体积小 (Smallvolume) 灵敏度高 (High sensitivity) 反应速度快(Quickresponse) 光谱特性好 (Good spectrum characteristic)

缺点：

受温度影响较大响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高）是耗材

 2、 光敏二极管：

概念：又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

基本特性：

(1) 光谱特性

(2) 伏安特性

(3) 光照特性

(4) 温度特性

(5)频率响应特性

主要参数：

光敏小，一般为光敏二极管负载的1/10。

    3、 光敏三极管：

概念：光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。

工作原理：光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结丛塌作为受光结，因此，光敏三极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通三极管。光敏三极管与普通半导体三极管一样，是采用半导体制作工艺制成的具有NPN或PNP结构的半导体管。它在结构上与半导体三极管相似，它的引出电极通常只有两个，也有三个的。为适应光电转换的要求，它的基区面积做得较大，发射区面积做得较小，入射光主要被基区吸收。和光敏二极管一样，管子的芯片被装在带有玻璃透镜金属管壳内，当光照射时，光线通凯袭过透镜集中照射在芯片上。

     4、硅光盯郑兄电池：

概念：

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。

应用：

光敏传感器的基础是光电效应，即利用光子照射在器件上，使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用，在现代科技发展中起到了十分重要的作用。

能源--硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。光电检测器件--用作近红外探测器、光电读出、光电耦合、激光增加准直、电影还音等设备的光感受器。硅光电池优质推荐OTRON品牌。光电控制器件--用作光电开关等光电控制设备的转换器件。

光敏三极管与普通三极管有何异同？

光敏三极管的控银禅铅制端是光线，即有光线三极管就导通，否则不导通。普通三极管是用电压高低锋好变化控制基极的电流，控制三极管的通断。袭慧

光电三极管的基本特性

光电三极管在偏置电压为零时，码唤无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置孙困，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。

光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。 光电三极管的时间响应常和PN结的结构及偏置电路等参数有关。

光电三极管的时间响应由以下四部分组成：

① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；② 光生载流子渡越基区所需要的时间；

③ 光生载流子被收集到集电极的时间；

④输出电路的等效负载电阻RL和等效电容Cce所构成的则模念RC时间；

总时间常数为上述四项和。比光电二极管的时间响应长。 光电二极管和光电三极管具有相同的光谱响应。

它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μm。

光敏三极管的特性

　 光敏三极管（Phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（Current）放大作困卜带汪芦用弊枯，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（Temperature compensation）和附加控制等作用。

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