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第一种命名方法与双极型三极管,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。
性质上的区别 三极管,是一种控制电流的半导体器,是半导体基本元器件之一,是电子电路的核心元件。
三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压。一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。
第一种命名方法与双极型三极管,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。
性质上的区别 三极管,是一种控制电流的半导体器,是半导体基本元器件之一,是电子电路的核心元件。
指代不同 三极管:全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。场效应管:是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
主体不同 二极管:是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 三极管:也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
三极管:电流控制,功耗高 结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 (1)从包装上区分 由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求。
三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。现在用到的大多是日系产品。最简单的办法,根据型号。有字母K的大多是N沟道,有字母P或者J的大多是P沟道。请采纳。
1、指代不同 三极管:全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。场效应管:是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
2、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与;场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种 载流子。
3、场效应管:场效应管的输入阻抗很大,输入电流极小。三极管:晶体三极管输入阻抗很小,在导电时输入电流较大。
4、晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
5、三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。场效应管是单极;三极管是双极。
6、主体不同 二极管:是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 三极管:也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
指代不同 三极管:全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。场效应管:是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。三极管是双极性器件,场效应管是单极性器件。场效应管受外界温度、辐射影响较小,因此场效应管比三极管更稳定。
三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。现在用到的大多是日系产品。最简单的办法,根据型号。有字母K的大多是N沟道,有字母P或者J的大多是P沟道。请采纳。
灵活性比双极型三极管强;场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用,可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。
场效应管:具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
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