pn结电容（pn结电容主要包括哪两大类,分别有什么特性及影响因素）

发布时间：2023-06-18

阅读量：46

本文目录一览：

1、在PN结中加上正偏压后，P区就会接收来自电源的正电荷，N区就会向电源释放电子，这样就会增加P区的厚度，同时减小N区的厚度。由于耗尽层的宽度主要取决于PN结两端的势垒，所以当加上正偏压时，耗尽层的宽度会缩小。

2、解释PN结电容就可以了！在电压的作用下，有电荷积累就类似于电容的极板上电荷的充放电，这就是电容效应。PN接正向偏压时其多子在对方的电荷密度会随正向电压而变化，是为扩散电容。

3、势垒电容：势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化。

4、一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD 。 (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。

5、简答题答案：空间电荷区是怎样形成的。画出零偏与反偏状态下pn结的能带图。当p型半导体和n型半导体紧密结合时，在其交界面附近存在载流子的浓度梯度，它将引起p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散。

6、结电容就相当于并联在两个结的一个电容，是由于pn结的面积形成的一个电容。

1、结电容就相当于并联在两个结的一个电容，是由于pn结的面积形成的一个电容。

2、PN结势垒电容主要研究的是多子，是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子。在PN结反向偏置时，少子数量很少，电容效应很少，也就可以不考虑了。

3、就是二极管PN结之间的电容对二极管性能的影响。二极管的PN结之间是存在电容的，而电容是能够通过交流电的。由于结电容通常很小，当加在二极管PN结之间的交流电频率较低时，通过PN结的电流由PN结的特性决定——只允许单向电流通过。

1、就是二极管PN结之间的电容对二极管性能的影响。二极管的PN结之间是存在电容的，而电容是能够通过交流电的。由于结电容通常很小，当加在二极管PN结之间的交流电频率较低时，通过PN结的电流由PN结的特性决定——只允许单向电流通过。

2、三极管的结电容容量一般为几十pF，高频管更小，对于低频来说太小了，所以说可忽略不计，比如音频电路中，千pF以上容量才能明显地起作用，几百pF以下的电容是没有作用的。结电容在电路中会起到旁路、反馈等作用。

3、两个靠近的金属板就会形成一个电容，二极管的PN结的两个极板也会形成电容，叫结电容。虽然二极管的金属板的面积极小，似乎电容极小，但由于pn结的势垒层极薄，所以两个极板的距离极小，所以实际电容也有几P到几十P。

4、它是由于在这两个区域之间存在的带电粒子密度差导致的。在p-n结中，p型区域中有多余的电空穴，而n型区域中有多余的电子。电空穴和电子在p-n结的边界处相遇并结合，这就形成了电容。这种电容称为结电容。

5、比如对于共射放大电路，你把Cbe等效到B和E之间，对于高频的Vin(500MHz)，这个Cbe足以把输入信号旁路到地了！但对于低频(500Hz)信号，Cbe要几个uF才可以有旁路作用。

pn结电容（pn结电容主要包括哪两大类,分别有什么特性及影响因素）