mos寄生三极管（mos管寄生二极管作用）

发布时间：2023-06-18

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1、MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。

2、三极管顾名思义具有三个电极。三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示），其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。

3、从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。

4、二管有2个极，分别叫正（阳），负（阴）极。

5、这个是场效应管，俗称MOS管，三极分别为漏极、源极、栅极，功能类比于晶体三极管的集电极、发射极、基极，三极之间有的是不通的，有的在漏极和源极会并联有二极管，沟道类型不同所并二极管的方向也不同。

1、前面出现沟道那段想必你已经很熟悉了。这个问题，你最好把模电书拿出来，翻到MOSFET的结构那张图。

2、因为在沟道夹断以后，当UDS 逐渐增大时，所增加的电压将主要降落在夹断区（使夹断区有一定的扩展），而剩余的沟道尺寸基本上不随UDS 的增大而变化，所以通过剩余沟道的电流——也就是输出电流ID基本上不变。

3、mos管是场效应管，是表面器件，对于增强型mos管是需要衬底反型形成导电沟道才能导电。上图为nmos管结构剖面图。当nmos管G不加电时，在漏源之间加电压，（漏接高源接低）。那么对于D端来看，衬底P和D端的n 是pn结反偏。

4、因为它需要在两个电极之间插入一个新的电极，夹断n沟道增强型mos管可能会导致电流从夹断的电极流走，从而影响其性能。n沟道增强型mos管当Ugs逐渐变大的时候，所形成的n沟道会逐渐变宽，电阻会变小，从而影响阻值的大小。

5、n沟道mos管与p沟道mos管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。

主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

)场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件 3)场效应管灵活性比三级管好；4)场效应管的制造工艺更适合于集成电路。

但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，mos管也一样，mos管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

mos寄生三极管（mos管寄生二极管作用）