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光耦的选择（光耦合选型）

发布时间：2023-06-19
阅读量：42

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光耦产品品牌这么多,要怎么选择呢?

其实，奥伦德的就可以，他们的产品 质量好，在业内也有知名度。

②推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。

NEC的光耦也比较多，你写的那个2sk2054不是光耦，是一个MOS管。NEC的光耦的型号都是 PS为前缀的，类似PS2501之类的。TLP521和TLP621一般情况下可以直接互换。导通电流稍有差别。一般的光耦参数：正向压降VF。

开关电源中,如何选择光耦?

1、开关电源的光耦主要是隔离、提供反馈信号和开关作用，当输出电压低于稳压管电压是给信号光耦接通，加大占空比，使得输出电压升高；反之则关断光耦减小占空比，使得输出电压降低。

2、开关电源 请选用 线性光耦 不需要高速光耦 光速数字光耦主要应用CAN-BUS 及一些总线隔离 我知道一个型号HCNR-200 线性度很好。。

3、在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。

关于光耦、可控硅控制大功率电器电路器件参数的选取

选取如下：光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。

接通电磁阀线圈（一般小于10W）可用BT136可控硅，光耦触发电阻选330欧姆，保护电阻100欧姆，保护电容选0.1u～0.022/1000v，CBB21，这种小负载也可不用保护电阻，电容。

这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。

推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。

选择光耦需要考虑哪些参数呢?

入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。

看你的应用，光耦的种类有很多。晶体管输出光耦（输入电流，输出耐压，电流传输比）可控硅输出光耦（触发电流，输出耐压，过零还是不过零）IGBT驱动光耦（输出电流峰值）高速光耦（速度，开路集电极还是推挽输出）。。

采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

光耦合器的类型及性能特点 1 光耦合器的类型 ？ 光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。光耦合器的分类及内部电路如图1所示。

在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。

如何选择光耦的型号,参数,如何设计光耦开关电路

1、当两个不同的型号的光耦只有负载电流不同时，可以用大的负载电流的光耦代替小负载电流的光耦。

2、还要考虑的参数有隔离电压、上升时间和下降时间、击穿电压、驱动极性等等。

3、看你的应用，光耦的种类有很多。晶体管输出光耦（输入电流，输出耐压，电流传输比）可控硅输出光耦（触发电流，输出耐压，过零还是不过零）IGBT驱动光耦（输出电流峰值）高速光耦（速度，开路集电极还是推挽输出）。。

4、NEC的光耦也比较多，你写的那个2sk2054不是光耦，是一个MOS管。NEC的光耦的型号都是 PS为前缀的，类似PS2501之类的。TLP521和TLP621一般情况下可以直接互换。导通电流稍有差别。一般的光耦参数：正向压降VF。

5、通常包括输入和输出电流、最大耐压、响应时间和工作温度等。常见的光耦型号包括二极管型、晶体管型和集成电路型等。在选择光耦型号和参数时，需要根据应用需求、电路设计、成本预算等因素进行综合考虑。

6、开关电源的光耦主要是隔离、提供反馈信号和开关作用，当输出电压低于稳压管电压是给信号光耦接通，加大占空比，使得输出电压升高；反之则关断光耦减小占空比，使得输出电压降低。

关键词：保护电阻 发光二极管 电容 可控硅 光耦 两个电阻 开关电源的光耦 线性光耦 数字光耦 电阻的 如何选择光耦 电路光耦 电阻 光耦开关 和光耦 光耦触发 高速光耦 ical

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