三极管导通电压（二极管导通电压）

发布时间：2023-06-27

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1、三极管的导通电压是不确定的，因为是电流控制元件。

2、一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

3、加在三极管基极与发射极之间的电压叫基极偏置电压，三极管导通时一般硅管为0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

三极管导通电压（二极管导通电压）

1、一只三极管是由两个PN结组成。因此，硅材料三极管需要4V以上才能导通；锗材料三极管需要0.6V以上。三极管导通后，它的压降就等于该管本身的饱和压降了ces，通常很小、只有零点几伏了。

2、三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。

3、三极管要处于放大状态，必须发射结处于正偏、集电结处于反偏。0.7V是发射结的导通电压。发射结加上1V电压，那就会产生很大的基极电流将发射结烧坏。

1、PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

2、三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7v左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2v、2a的字样，意为2a电流时的饱和压降为2v。

3、三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7V左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2V、2A的字样，意为2A电流时的饱和压降为2V。

4、三极管的导通电压是不确定的，因为是电流控制元件。

5、小功率管子，一般这个电压是0.7V，大功率管子大概是2-3V。后面饱和程度深了之后就不好说了，一般小功率管子饱和导通的UCE电压，往往用0.3V来估算（但实际是不是0.3V，真的只有鬼才知道），大功率管子还是乖乖地实测吧。

1、二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。

2、而且，就是把基极开路(Veb=0)，也同样有电流通过发射结，这时的集电极电流是Ieco（要比Icbo大[β+1]倍）。因此，基极电压在没有达到导通电压时，也会有电流流过发射极，并且同样有集电极电流。

3、三极管的导通是靠Ube的大小来控制的，从0V逐渐增加到0.5V，三极管一直处于截止状态，所以称0.5Ⅴ为死区电压。再继续增到0.6V，三极管开始导通，而导通后，Ube即为正向压降为0.6~0.8V，通常为0.7V。