无源MOS管（mos管有源区）

发布时间：2023-05-16

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本文目录一览：

1、为什么在典型的MOS工作，源/漏结二极管必须反偏?
2、在mos管电路中的漏极开路输出无源上拉，为什么电容从低电平到高电平充电，充电的时间等于电容乘以电阻？
3、mos管电流和电源斜率的关系
4、请问MOS管与IC的区别是什么?
5、光mos固体继电器是无源器件吗

为什么在典型的MOS工作，源/漏结二极管必须反偏?

看局部电路是否含有电源。

含电源的部分称为有源区指咐，不含电源的部分称为无源区。

在列电势关系时要看有源唯耐纯区中注亩核意电势的升降！

无源MOS管（mos管有源区）

在mos管电路中的漏极开路输出无源上拉，为什么电容从低电平到高电平充电，充电的时间等于电容乘以电阻？

MOS管相当于一个开关，当MOS管到通时，电流从MOS管流过（此时大芹行MOS管相当于导线，C被短路），电容C两端的电压为0，当MOS管不滚哗到导通时，首念电容通过R充电，时间常数t=RC

mos管电流和电源斜率的关系

提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标，需要提高开关频差李空率，从而降低功率损耗、系统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS) 或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术，可以大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作在高频开关下，能够改善效率，能够降低应用的尺寸，还能够降低功率开关的应力，因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用，包括高端服务器、平板显示器电源的应用。但是，包含有扰猜LLC谐振半桥的ZVS桥式拓扑，需要一个带有反向快速恢复体二极管的MOSFET，才能获得更高的可靠性。

在功率变换市场中，尤其对于通信/服务器电源应用，不断提高功率密度和追求更高效率已经成为具挑战性的议题。对于功率密度的提高，普遍方法就是提高开关频率，以便降低无源器件的尺寸。零电压开关(ZVS)拓扑因具有极低的开关损耗、较低的器件应力而允许采用高开关频率以及较小的外形，从而越来越受到青睐。这些谐振变换器以正弦方式对能量进行处理，开关器件可实现软开闭，因此可以大大地降低开关损耗和噪声。在这些拓扑中，相移ZVS全桥拓扑在中、高功率应用中得到了广泛采用，因为借助功率MOSFET的等效输出电容和变压器的漏感可以使所有的开关工作在ZVS 状态下，无需额外附加辅助开关。然而，ZVS范围非常窄，续流电流消耗很高的循环能量。近来，出现了关于相移全桥拓扑中功率MOSFET失效问题的讨论。这种失效的主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在LLC谐振变换器中的一个潜在失效模式与由于体二极管反向恢复特性较差引起的直通电流相关。即使功率MOSFET的电压和电流处于安全工作区域，反向恢复dv/dt和击穿dv/dt也会在如启动、过载和输虚瞎出短路的情况下发生。