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可控硅导通阻值（可控硅的导通电压）

发布时间：2023-06-30
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可控硅并联阻容吸收电阻多少欧

电阻选择几十到几百欧的都可以，电容选择几KP的。最好用示波器对比下可控硅两端的波形，在进行参数微调。

阻容吸收电流计算 电阻10欧姆，电容0.47微法。并在可控硅两端，可控硅输入电压1140V。想知道吸收高压瞬间电流时怎么计算的。... 电阻10欧姆，电容0.47微法。并在可控硅两端，可控硅输入电压1140V。想知道吸收高压瞬间电流时怎么计算的。

到500欧。连接变压器和可控硅为100A电流，电阻需要300到500欧才可以位维持正常运行。变压器就是一种利用电磁互感应变换电压、电流和阻抗的器件。

推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。

双向可控硅触发电阻多大阻值

用短接线将AG极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。

欧姆。双向可控硅a1和a2之间用短接线进行瞬间短接，给G极加上正向触发电压，两者之间的电阻是10欧姆左右。电阻是指表示导体对电流的阻碍作用的大小。

接通电磁阀线圈（一般小于10W）可用BT136可控硅，光耦触发电阻选330欧姆，保护电阻100欧姆，保护电容选0.1u～0.022/1000v，CBB21，这种小负载也可不用保护电阻，电容。

可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。

双向可控硅G极与T1是一个二极官的电阻，有的T1与T2可互换的，G是控制极。

晶闸管(可控硅)的导通电阻一般为多少?

1、a可控硅得需要调整电阻300到500欧姆。

2、bt152可控硅的一三脚电阻一般是30Ω±10%。控制极（G脚）与阳极（A1脚）之间串联有一个门电阻，用于限制晶闸管的触发电流和防止误操作。根据BT152的数据手册，它的G-A1电阻（门电阻）为30Ω±10%。

3、导通电阻为0.16毫欧。N4085过平均电流4085A，0.07毫欧。但是这不是完全随着电流变大而变小的，而是根据工艺不同而变化的。而且计算损耗的时候是V*I+I*I*R=P， 和电流的平方成正比的，其实发热还是很大的。

4、安培以上的叫大功率可控硅，一般把5安培以下的叫小功率可控硅大功率可控硅测量法分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

5、欧姆。根据查询晶闸管门极厂家官网显示，晶闸管门极和阴极电阻是5000欧姆，阴极电阻的值与该电子元件的精度相关。

可控硅在12v,30A正向导通电流下,其导通内阻会是多少欧姆?

1、可控硅是非线性元件，它的导通电阻和电流大小有关系，只能有动态情况下的电阻，可控硅导通后，电压基本恒定在一个值，这样就会出现电流越大U/R值就越小。

2、可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。

3、二极管的正反向电阻根据材料有所不同，有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大，而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。

4、单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

5、晶闸管的导通电阻是个非线性数字，一般为2V以下。

6、可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

可控硅触发极电阻多少正常

用短接线将AG极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。

可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。

可控硅发热状态阴阳极之间阻值会在几个欧姆（Ω）至几千欧姆（kΩ）之间。在可控硅的工作过程中，阴极和阳极之间的阻值是一个重要的参数，影响着器件的工作状态和性能。

可控硅发热状态阴阳极之间阻值

可控硅阴极和阳极之间的阻值越大越好。阴极和门极之间的阻值一般为15~30欧姆，过大和过小都不好。

可控硅导通电压约2v，饱和导通电流不确定，所以无法计算。1000A是最大饱和导通电流，就是说，此时电阻是2/1000Ω=0.002Ω 当然实际饱和导通电流介于最小和最大之间，所以就要看它正常工作时的设计电流了。

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据p-n结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

无。可控硅阻值冷态和热态无差别，可控硅是晶体管，属于非线形元件，没有固定的阻值。良好的可控硅，阴极和阳极正反之间电阻无穷大。

用短接线将AG极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。

欧左右。电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏。可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

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