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1、基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
2、微变等效电路:所谓“微变”,就是指被放大的信号(us)变化幅度不大时,等效出来的电路。由于三极管属于非线性元件,无法采用直接分析的方法。
3、有源负载放大电路主要构成元件为晶体管、场效应管及若干电阻,这种放大电路以电流源电路作为有源负载,这样在电源电压不变的情况下,既可获得合适的静态电流,对于交流信号,又可以得到较大的等效电阻,从而提高电压增益。
4、三极管没有放大作用,集电极和发射极相当于短路,常与截止配合于开关电路。
5、第二个问题,当三极管基极为低电位时,其集电极反相为高电位,此时,电源经rc、输出耦合电容c、负载再到负极,为电容充电,方向为左正右负。
6、. 晶体管的混合形模型 模型的三种简化形式 一般应用 rbc1/(Cbc),忽略rbc ;低频时,Cbc、Cbe开路;在rce RL的条件下,忽略rce。
三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。三极管的重要特征是具有电流控制作用,这是由于三极管内各电流之间有确定的分配关系,即IC=βIB和IE=IC+IB。
三极管等效电路在输入信号电压很小的条件下得出的。基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。
等效电路图,不必要画出电压表和电流表,但是要画出电源,就是电流源和电压源,所谓的等效电路图主要指的是两种电源的等效变换,就是说一个独立电流源I并联电阻R,等效为一个电压源U串联电阻R。
从电路基础理论上讲,单个三极管电路就是一个双口网络。。而戴维南定理说任何一个网络都可以用电阻、电容、电感、电流源、电压源来等效。。于是就有了三极管的分析方法——等效电路法。在分析的时候。
测量方法:通过万用表可以测试,如果用数字万用表测试,可以直观的、准确的测量放大倍数,选择万用表档位在hfe档位上,万用表上有NPN或者PNP测试的三个小孔,三极管的b\c\e三个脚对应插进小孔中,就可以测出放大倍数了。
基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
微变等效电路:所谓“微变”,就是指被放大的信号(us)变化幅度不大时,等效出来的电路。由于三极管属于非线性元件,无法采用直接分析的方法。
三极管等效电路在输入信号电压很小的条件下得出的。基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻,集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源,大小为βIb。
三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。
如果把三极管看成一个广义的节点,根据KCL,显然有Ie=Ib+Ic。所以三极管放大的条件为:内部条件:发射区参杂浓度高,基区薄,参杂浓度低,发射结面积大;外部条件:发射结正偏,集电结反偏。
1、场效应管控制极不消耗电流,或者说它的输入阻抗非常高,特别是绝缘栅场效应管,与电子管相似。仅是利用栅极电压来控制漏极电流的大小,输入电路不消耗功率,是个压控元件。
2、三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。三极管的重要特征是具有电流控制作用,这是由于三极管内各电流之间有确定的分配关系,即IC=βIB和IE=IC+IB。
3、这是三极管的微变等效电路。处于放大状态三极管的输入端有电压和电流,小信号时该电压电流成线性关系,对外呈现为一个线性电阻,所以在等效电路中用电阻rbe来等效,通过它的电流是ib。
4、电阻和电流源是简化的三极管的模型电路,共射时,等效电路时三极管就可以用电阻和电流源表示,电阻是射级和基极的结电阻,电流源是因为基极上通过的小电流ib在集电极输出时会被放大成βib,其它照画。
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