mos管驱动ic（MOS管驱动电阻）

发布时间：2023-07-01

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1、选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

2、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下：首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。

5、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

6、这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

纯理论应该没有影响，但是实际上mos的温升升高或多或少会导致其本身为半导体的特性的热敏性，例如一些分布参数内部结电容的变化，肯定会影响测试结果。

MOS管应用电路 MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

你想问的应该是加了MOS管对那个方波有什么影响吧。理论上说由于MOS管的GS之间有个寄生电容，所以波形上升沿与下降沿会变缓，但实际我测试过程中没有发现明显的畸变（大约50KHz）。

mos管驱动ic（MOS管驱动电阻）

1、它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

3、这个光耦是用来驱动 IGBT栅极的，原理嘛很简单，就是一个电源通过一个晶体管后接到 IGBT的栅极，你给光耦输入信号，晶体管导通，电源的电压就加到IGBT的栅极啊，去掉信号就把电压跟IGBT的栅极断开，不去驱动他。