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这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
MOS管有电容效应,栅极串电阻是调节RC常数,控制管的开通延时,电阻上并联二极管,是为了及时让栅极的电荷释放掉,是管子正常关闭,这种二极管要用快恢复二极管。
MOS管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
那个二极管主要加快MOS的关断速度,不过功率比较小的情况下效果不是太明显。
电阻是用来保护MOS管,主要是限制驱动电流的作用。然后4148是用来加快关断速度的。
mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
因为SW是电压跳变点,电平会在Vin和GND之间转换,而由于电容C4的两端电压不能突变,当SW的电平等于Vin时,BTST的电平也会突变,如果没有这个二极管,电流会倒灌入REGN。该二极管就是防止倒灌的。
不是栅-漏吧,应该是漏-源才是。这个是在制造过程中,MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起,而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS:不是故意加上去的。
1、只要加适当的电压,将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管。(MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。
2、mos管作为二极管原理MOS管,即金属-氧化物-半导体管,是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类:nMOS和pMOS。
3、什么是PN结?PN结的正接与反接?P(+)接正极,N(-)接负极为正接,反之为反接。扩散电流才是主流;漂移电流即为反向电流,随温度变化而急剧变化。二极管和PN结关系?二极管由PN结加上引线和管壳组成。
4、MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的,内阻低,都是毫欧级的。
5、MOS管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
6、一般MOS管,衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向,这个流向可以表示为二极管,即体二极管。然而S和衬底是连在一起的,所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。
那个二极管主要加快MOS的关断速度,不过功率比较小的情况下效果不是太明显。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
电阻是用来保护MOS管,主要是限制驱动电流的作用。然后4148是用来加快关断速度的。
MOS管有电容效应,栅极串电阻是调节RC常数,控制管的开通延时,电阻上并联二极管,是为了及时让栅极的电荷释放掉,是管子正常关闭,这种二极管要用快恢复二极管。
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