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mos管开启电压定义(mos管开启条件)

发布时间:2023-05-16
阅读量:109

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什么是N沟道增强型MOS管的开启电压?如何判断MOS管所处的工作状态?

NMOS增强滑高仔型,ugs(th)一般是正数,最常念橘见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一信汪定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数。电压在范围内一般就导通,电压值不够不导通

MOS管的开启电压是什么,是指G极的电压吗。。。。如果是哪需要多少V

是的,G极的电压需要2-4V之正猛间。枝清

MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被举搭桥认为是对称的。

在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。

扩展资料

无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。

参考资料来源:百度百科-mos管

MOS管如何使用?

MOSFET开启电压5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要谨颂12+5=17V才能导通。

这个说的对。

Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压,超过就击穿了,所以一斗樱般是±20V,使用时不能超过。

和上一问一样,只有栅极和源极接正向电压才能导通,而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样,都会截止。

对。

选用开启电压低一些的,Vdss>5V,Idss>100mA即可,可以用AO3400。

由于MOS导通电阻很小,可以忽略其压降,发光管压降按2V计算,发光管电流取10mA即可,所以R=(VCC-2V)/10mA,如果VCC是5V那么空晌丛电阻R=300Ω。

MOS管的参数怎么读懂

MOS管主要参数如下:

1.开启电压VT

·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;

·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;

·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层闷数行一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管蚂哗放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1~3pF

·CDS约毕肢在0.1~1pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)

·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小

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