mos管开启电压定义（mos管开启条件）

发布时间：2023-05-16

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本文目录一览：

1、什么是N沟道增强型MOS管的开启电压？如何判断MOS管所处的工作状态？
2、MOS管的开启电压是什么，是指G极的电压吗。。。。如果是哪需要多少V
3、MOS管如何使用？
4、MOS管的参数怎么读懂

什么是N沟道增强型MOS管的开启电压？如何判断MOS管所处的工作状态？

NMOS增强滑高仔型，ugs(th)一般是正数，最常念橘见的是在2-4V之间，正常导通时的UGS一信汪定大于Ugs(th)，因此也一定是一个正数。电压在范围内一般就导通，电压值不够不导通

MOS管的开启电压是什么，是指G极的电压吗。。。。如果是哪需要多少V

是的，G极的电压需要2-4V之正猛间。枝清

MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被举搭桥认为是对称的。

在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。

扩展资料

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

参考资料来源：百度百科-mos管

mos管开启电压定义（mos管开启条件）

MOS管如何使用？

MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要谨颂12+5=17V才能导通。

这个说的对。

Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一斗樱般是±20V，使用时不能超过。

和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。

对。

选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。

由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么空晌丛电阻R=300Ω。

MOS管的参数怎么读懂

MOS管主要参数如下：

1.开启电压VT

·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层闷数行一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管蚂哗放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1～3pF

·CDS约毕肢在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

关键词：mos管开电阻三极管做开关 mos管导通电阻

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