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led筒灯基本用不到mos管。
但有些用的是塌扒雹开此握关电路进行降压整流,这样的led筒灯团帆就要用到mos管啦。
常见的有枝扮这些2N7000、2N7002、IRF510A、IRF520A、IRF530A、IRF540A、IRF610A、IRF620A、、RF630A、IRF634A、IRF640A、IRF644A、IRF650、IRF654A、IRF720A、IRF730A、IRF740A、IRF750A、IRF820A、IRF830A。
MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种。即:N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号,你可以在网上搜一下,有MOS管型号对照表。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的猛槐灶source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成明链的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要厅氏再数伏弯加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一薯闷个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用。
同等功率情况下,mos开关速度快,发热小,更节饥敬首能。
mos是电压型器件,栅极输入阻抗高,对电压非常敏感,只需uA级烂数或mA级电流即可启稿数动。而三极管的驱动电流较大,导通时间相对长,开关损耗就大。同时,mos的Rds小,压降小,自身的耗散功率就小。使用mos时,整个电路都工作在开关状态,全电路功耗都很小,设计精良的电路,转换效率可达90%甚至95%,节能效果非常显著。
在进行开关电源测试中,除了用三用表测量控制电路其他器件的引脚电压,比较重要的是用示波器测量相关的电压波形。当判断开关电源是否工作正常,测试什么地方才能反映出电源的工作状液禅态,变压器原边和次级以及输出反馈是否合理,开关MOS管是否工作正常,PWM控制器输出端是否正常,包括脉冲的幅度和占空比是否正常,等等。
测试点的合余此理选择非常重要,正确选择既安全可靠测量,又能反映故障的原因所在,迅速竖埋迅查找出原因。
分析这次MOS管故障的原因,根据开关电源以前的所了解的,一般引起MOS管发热的原因是:
1:驱动频率过高。
2:G极驱动电压不够。
3:通过漏极和源极的Id电流太高。
因此测试重点放在MOS管上,准确测试它的工作状况,才是问题的根本。选择测试点如图:
Q1为功率开关MOS管,A点为漏极,B点为源极,R为电流取样电阻,C点为接地端。把双踪示波器的两个探头分别接到A和B点,两个探头接地端同时卡住电阻R的接地端C处。
MOS管漏极测试A点波形
而从B点的波形可以看出,MOS管的源极电压波形,这个波形是取样电阻R上的电压波形,能够反映出漏极电流极其导通和截止时间等信息,如下图分析:
可以看出,每个周期中,开关MOS管导通时,漏极电流从起始到峰值电流的过程。
取样电阻R的B测试点电压波形
A和B点,这就是两个关键的测试点,基本上反映了开关电源的工作状态和故障所在,导通的时候的尖峰电压和尖峰电流非常大,如果能够将导通的尖峰电压和尖峰电流消除,那么损耗能降一大半,MOS发热的问题就能解决。当然也是发现MOS管工作正常与否的最直接反映。
通过测试结果分析后,改变栅极驱动电阻阻值,选择合适的频率,给MOS管完全导通创造条件,MOS工作后有效的降低了尖峰电压,又选择了内阻更小的MOS管,使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。经过这样处理后,重新实验,让整个电源正常工作后,加大负载到满负荷工作,MOS管发热始终没有超过50°,应该是比较理想。
在用示波器测试过程中,要特别注意这两个测试点的波形,在逐步升高输入电压的时候,如果发现峰值电压或者峰值电流超过设计范围,并注意MOS管发热情况,如果异常,应该立刻关闭电源,查找原因所在,防止MOS管损坏。
MOS管的肆激陆英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管铅渣中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通裂顷常被用于放大电路或开关电路。
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