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只要功率，耐压，电流这三大特性能达到或超过原三极管的是可以的，只是有些要在线路上改动一下。因它的G极电压要求的比一般三极管高。现的成规开关电源产品大量的就用它了。
用参数相近，同类型的三极管代替。不能用其他电子元件代替三极管。
mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。
mos管可以，如果你把MOS管也算作三极管的一种的话，那在此之外比较难。对了，电子管也可以，在60年代以前放大电路都是用电子管做的。
1、NPN型和PNP型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。
2、肯定是P沟道换P沟道，N沟道换N沟道的，但是并不是单纯地只看这一点。
3、很简单的一般MOS管的特性一样N沟道的换N沟道的。
4、可以用06N03 09N03 60N03 90N03代换。
1、可以替换。因为击穿电压与集电极最大允许电流cj2302均小于cj3400，所以，cj2300可以用cj3400代替，但cj3400不能用cj2300代替。MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动。
2、主要是ID电流2302是9A，2301是8A，还有导通电阻。
3、可以使用带阻三极管替代这个带阻三极管，常用的型号为：KRA106S PNP、KRC106S NPN。相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱。
4、电磁炉的场效应管一般都可用T25N120，FGA25N120代换。
5、mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。
听朋友说，在更换MOS管的时候，不同的主板，如果都是775的CPU，那么MOS管是可以互换的，上管之间也可以混用，下管之间也可以混用，以这样的原则来代换MOS管应该没问题吧。
N60C可以替代2N60的。2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS(on) ≤ 1 Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。
对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。可见，在正常条件下，很容易得到增强型PMOS管。为了制得增强型NMOS管，则需注意减少Qss、Qox，增加QB。
要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate dielectric表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。
1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
3、当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
这是完全可以代替的，因为他们的功率都是相同的，所以这方面的话代替是没有任何问题，可以达到一个非常好的效果。
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