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R628光耦（0661光耦）

发布时间：2023-07-09
阅读量：41

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在线如何判断光耦好坏?

指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。光电效应判断法仍以EL817光耦合器的检测为例，检测电路如图2所示。

判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。

分别测量两边的阻值；一边正反两面都无穷大，这边接电源初极，另一边正测有6-8K阻值，则说明光耦是好的。

判断受光三极管的好坏与放大倍数：将万用表开关从电阻挡拨至三极管hFE挡，使用NPN型插座，将E孔连接④脚发射极，C孔连接⑤脚集电极，B孔连接⑥脚基极，显示值即为三极管的电流放大倍数。

如何判断光耦的好坏

1、检测光耦的好坏，可以在板带电的情况下，测输入驱动波形和输出驱动波形：如果仅有输入没有输出，那光耦肯定有问题；如果输入和输出波形都有，那就说明光耦没问题。这时可以查电源和驱动信号是否正常等等。

2、判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。

3、简易测试电路，当接通电源后，LED不发光，按下SB，LED会发光，调节RP、LED的发光强度会发生变化，说明被测光电耦合器是好的。

4、一般通用型光耦hFE值为一百至几百，若显示值为零或溢出为∞，则表明三极管短路或开路，已损坏。3．光耦传输特性的测量：测试具体接线见下图，将数字万用表开关拨至二极管挡位，黑笔接发射极，红笔接集电极，⑥脚基极悬空。

光耦是什么含义

光耦是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

光耦，一种电气隔离器件，可以实现需要进行电气隔离的场所。例如弱电控制交流强电就需要光耦。

光耦就是光电耦合器，里面封装了一个发光管和一个光敏三极管。当发光管发光时，光敏三极管的电阻值减少，发光强度大小变化时，光敏管的阻值也变化。所以可以用它来做非电气的信号耦合。

光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

光耦是光电耦合器，起到点信号--光信号---电信号连接的作用，可以在电气上对两端进行隔离，又能传递信号。

光耦，即光电耦合器，结构：一般4脚的光耦，输入端跨接的是一只led，输出端跨接的是一只光敏三级管，led和光敏三级管是被密封在一个封装中的。

光耦怎么测好坏,怎么检测光耦的好坏?

检测光耦的好坏：可以在板带电的情况下，测输入驱动波形和输出驱动波形：如果仅有输入没有输出，那光耦肯定有问题；如果输入和输出波形都有，那就说明光耦没问题。这时可以查电源和驱动信号是否正常等等。

判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。

简易测试电路，当接通电源后，LED不发光，按下SB，LED会发光，调节RP、LED的发光强度会发生变化，说明被测光电耦合器是好的。

以往用万用表测光耦时，只分别检测判断发光二极管和受光三极管的好坏，对光耦的传输性能未进行判断。这里以光耦4N25为例，介绍一种测量光耦传输特性的方法。

输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。另发光二极管端万用表可用电池串限流电阻代替。

分别测量两边的阻值；一边正反两面都无穷大，这边接电源初极，另一边正测有6-8K阻值，则说明光耦是好的。

怎么检查光耦的好坏?

1、指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。光电效应判断法仍以EL817光耦合器的检测为例，检测电路如图2所示。

2、判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。

3、简易测试电路，当接通电源后，LED不发光，按下SB，LED会发光，调节RP、LED的发光强度会发生变化，说明被测光电耦合器是好的。

4、方法2：光耦PC817的判断方法，先用万用表二极管档检测出光耦的发光端，再在发光端加以五伏左右的电压，判断三极管端好坏。

光耦主要的参数是什么?

采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

根据查询相关公开信息显示，光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V。

光耦的常用技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。

光耦输出端的最大工作电压：30V。光耦输出端的最大工作电流：50mA。光耦的最大工作温度：85℃。光耦的最小绝缘电阻：10^10Ω。光耦响应时间：小于等于4微秒。光耦的耐压能力：1500Vrms。

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