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梯形是驱动速乎敬度不足的现象,尺顷轿可以在G极电陵肆阻并一个反向二极管加速关断,或在G极加一个图腾。前高后低是驱动电流不够,前低后高应该是过激了,可以适当调节G极电阻
工作原理:mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G.
工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。
MOS管应用电路 MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。
注意事项:携咐物
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。
(2)有少数VMOS管在简衡G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W七、场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信辩液号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用!
就N沟道型早咐袭的场效应管来说明,S极是输入和输出的公共端
G极为低电平时场效应管陆兄的D极和S极是不导通的,电源电压通过负载把电源电压加在D极上
G极为高电平时场效应管的D极和S极是导通的,电源电压加简谈到负载上,这时D极上的电压很低绝大部分电源电压都加到负载上
所以:MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的
开关电源看似简单,实际涉及很多知识领域,要真的设计好一块开关电源还真不是一件轻松的事,那怕控制芯片已经高地集成。因为PCB布局、布线,元器件参数的选择等,影响开关电源的工作状态和性能指标。
那么,你开头说输出基本符合要求,就是有些毛刺尖峰,这个问题暂时说不清楚,但肯定有问题。也许下边的分析,有助于你解决问题。
但是将5 V接1.5欧电阻时,问题很严重:
1、刚上电时,变压器蜂鸣逐渐加重,MOSFET两端电压闷启反常,波形镇脊如下图,而且测得的周期(约75us)与设计值(40kHz,25us)差了3倍。
这是过载了,芯片进入了降频保护模式。
2、5V输出电压下降很快,大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。
5V电压跌落后负载电流减小,开关电源控制芯片退出降频保护模式,但也许是临界状态,建议御罩渗延长观察时间。
开关电源开关管的振铃现象没法彻底消除,但振铃严重多和布局布线及输出变压器采输有关。严重怀疑对象变压器,磁隙、匝数、绕制工艺,你检查调整一下,看是否改观。
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