半导体的电阻率（半导体的电阻率范围）

发布时间：2023-07-11

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电阻系数很大的（电阻系数的范围约为10~10欧姆·毫米/米）、导电性能很差的物体叫做绝缘体。例如：陶瓷、云母、玻璃、橡胶、塑料、电木、纸、棉纱、树脂等物体，以及干燥的木材等都是绝缘体（也叫电介质）。

约为10～10欧姆 ·米，所以一般情况下可以忽略在外电场作用下自由电荷移动所形成的宏观电流，而认为是不导电的物质。

电阻率小于10^(-5)Ωm的称导电体，如金属材料等。电阻率大于10^8Ωm的称绝缘体，如陶瓷、橡胶、塑料等材料。介于两者之间的称半绝缘体或半导体。

半导体的电阻率（半导体的电阻率范围）

半导体元器件有哪些？现在我们来看下。晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个PN结。双极型晶体管它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。

半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS），双极晶体管（BJT），结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。

芯片，又称微电路、微芯片、集成电路(英文：integrated电路，IC).它是指包含集成电路的硅芯片，非常小，往往是计算机或其他电子设备的一部分。芯片是半导体元器件产品的总称。是集成电路(IC，完整的电路)载体，其由晶片分割。

1、半导体材料的电阻率范围是在10^-3到10^7Ω·cm之间。这个范围相对于绝缘体和导体来说介于两者之间。纯净的半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），具有较高的电阻率，在10^2到10^6Ω·cm之间。

2、金属导体的电阻率约在 10 -4 W ·cm 以下，绝缘体的电阻率约在 10 9 W ·cm 以上，半导体的电子率是介于二者之间，约在 10 -4 ~ 10 9 W ·cm 。图 1 列出这三类中一些重要材料的电阻率和电导率。

3、半导体的电阻率是有特殊的曲线，反向电压不导通，电阻很大。达到0.3或0.7伏正向电压，电阻很小。总之电阻随电压的变化而变化，但不能用欧姆定理计算。

n型半导体电导率与温度之间存在一定的关系。在常温条件下，n型半导体的电导率随温度升高而增加，呈现正相关的趋势。这是因为温度的升高会使半导体材料中的激发态电子和空穴增加，进而提高了半导体的导电性能。

半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

1、因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

2、以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。

3、具有负温度系数的半导体的电阻随温度升高电阻降低。半导体受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。

1、半导体随着温度升高，其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序，才导致可以用半导体材料做成二极管，具有单向导电性。随着温度的升高，分子排列的无序性变大，导电性能变好。电阻率将会减小。

2、以硅为例，在一定的温度范围内，半导体的电阻率随温度的升高，而变小。

3、电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。

4、根据半导体理论，一般半导体材料的电阻率和绝对温度之间的关系为（1—1）式中a与b对于同一种半导体材料为常量，其数值与材料的物理性质有关。