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可控硅晶体管中，kk是快速可控硅晶闸管，kp是普通的可控硅晶闸管。 kk可控硅晶闸管可以在400hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。
可控硅的KK、KP分别指快速可控硅和普通开关管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作；KP通常用在工频条件下。
KHz。可控硅通常用于控制市电的通断，可控硅的选择型号厂家与频率是有关的，但是频率的高低是相对的，可控硅的工作频率是在20KHz到70KHz。
KP是普通晶闸管，常用在整流电路；KA是高频晶闸管，开关频率可达5K~10K，常用在逆变电路、斩波电路；KK是快速晶闸管，开关频率高于KP系列晶闸管，但低于KA系列，常用在逆变电路中。
高频晶闸管(KG)具有比快速晶闸管更短的开关时间，所以具有良好的高频特性，最高工作频率可达到20kHz，超过特性工作频率电路当然会失效。
1、MOC3081是带过零触发的可控硅驱动光耦，这个带过零触发的意思一定要搞明白。MOC3081只能控制可控硅打开，不能控制关断。可控硅触发导通后，是靠过零关断的。通常市电交流电是50Hz的正弦波。
2、可控硅靠电流过零而关断（除可关断可控硅外）。双向可控硅触发导通后，电源电压过零时，可控硅关断。当有外加电压前提下，再触发，可控硅就再次导通。
3、用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。
4、如果需要快速通断，那么可控硅也是不能直接使用的。交流电和脉动直流除外。在直流电路中，可控硅一旦开启就无法关闭。除非外部电压消失。当然，现在已经有可控制关断的可控硅。但是对价格不清楚。24V3A电路的总功率是72W。
5、控制的设备功率再大了最是要过零检测了。用继电器可以免去隔离了，而且控制也容易，单片机控制一个三极管，再由三极管去驱动继电器，如果继电器很多的话，用三极管有点麻烦，就用ULN2803，一片可以控制8个继电器。
6、CON接51单片机IO口，低电平可控硅开通，高电平可控硅在交流电过零时自动关断。
1、当频率高时，控制极与阴极之间电容上的电荷来不及泄放，可控硅无法关断。自然只能全开通。可控硅关断及开通都需要时间。
2、通常可控硅用在交流回路，在交流波形的任意时刻加一（比交流正半周时间短的）触发脉冲，可控硅导通，交流电压过零时可控硅关断。一定要知道被控正半周的时间，频率越高，正半周时间越短。
3、频率是单位时间内完成振动或振荡次数或周数；在一定时间内的振动次数除以振动所用的时间，等于频率。
4、密切的关系。单片机使用晶振作为时钟源，通过计数器来计算时间，当计数器到达某一个设定值时，会产生中断信号。因此，晶振频率越高，计数器每秒钟可以计数的次数也就越多，中断时间也就越短。
1、可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。
2、等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件：一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
3、可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
4、可控硅关断需要通过的电流小于维持电流就可以实现。直流电路中可控硅的管断的方法：等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。
5、）使阳极电流Ia减小到一定数值IH，导致可控硅不能维持正反馈过程，管子将关断，这种关 断称之为正向阻断，IH称为维持电流。\x0d\x0a（2）在阳极和阴极之间加反向电压，可控硅也将关断，这种关断称之为反向阻断。
普通可控硅（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。
如果电源来自交流，可用可控硅作为整流器件，仅起开关作用的话用直流控制可控硅的触发极就可以了；电源是脉冲直流电也可以用同样的方法控制；但如果电源是直流，用可控硅只能控制导通而无法关断，要关断只能用如IGBT这样的器件。
因此在直流电路中只要其电流不小于维持电流，可控硅是不会关断的。在交流电路中的由于交流电流的大小和方向都会在变化，因此在去掉控制电压时导通的半波过后可控硅就自动关断了。在交流电流中使用的是双向可控硅。
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