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理想三极管（理想二极管参数）

发布时间：2023-07-16
阅读量：33

本文目录一览：

常用的半导体光电元件有哪些？

目前半导体元件包括 ： 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。

光电二级管，光敏电阻，光敏二级管，发光二级管等。符号为：若是感光元件，则在原器件中上部打两个向内的箭头，表示吸光的意思。若是发光元件，则在原器件中上部打两个向外的箭头，表示发光的意思。

半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS），双极晶体管（BJT），结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。

即将射到它表面上的光信号转换为电信号，如 PIN光电二极管和雪崩光电二极管（ APD ）等，目前广泛用于光纤通信系统。③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。

三极管饱和导通,集电极正偏时,集电极电流怎么流。

是集电结不是集电极，集电结是集电极与基极之间的PN结。

集电极电流方向并不是由集电结正偏决定的，而是由外部电路的电压高低决定的，集电极电阻是接在电源正极的，电流只能从正极流向集电极的。

ubeUon（开启电压）时，发射区自由电子由扩散运动到达基区 ，此时发射区、基区和集电区都有了自由电子，集电极C和发射极E相当于导通了，这时可以把晶体管等效于一根导线，如上图所示（基本共射放大电路）。

可以这么去理解：NPN三极管饱和导通时，基极电流流向发射极，集电极电流也流向发射极。

导通的三极管，电流方向只有两个，即NPN管由C、B流向E，PNP管的由E流向C、B。另外说，集电结正偏说法是不确切的，这只是电位高低的比较，是三极管饱和的现象。要知道电流只能由电源正极出发经外电路回到电源负极。

理想三极管的电压电流特性

1、三极管放大状态下的特点 要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：01V 以上，UBE0，UBC0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。三极管在放大状态时，IB 与IC 成唯一对应关系。

2、三极管最基本的和最重要的特性：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。

3、第二个特性，三极管具有放大功能。比如上流过1mA的电流，那么在流过的电流的大小是成倍于上的电流放大，而且放大倍数是90～100倍，即=100。这是由三极管自身的特性所决定的。

4、以共发射极为例：基极是输入电极，输入电流是IB，输入电压是VBE；输出电流为集电极电流IC，输出电压为VCE，输入和输出各需要有一组（而不是一条）特性曲线来表示其电压电流关系。

5、三极管的伏安特性是指三极管各极间电流与电压的关系。根据查询相关资料，将三极管的发射极作为公共端，基极与发射极作为输入端、集电极和发射极作为输出端形成共射电路，三极管的共射伏安特性。

6、共集电极电路接法，电流放大倍数大而电压放大倍数小；共基极电路接法，电流放大倍数小而电压放大倍数大；共发射极电路接法，对电压和电流的放大倍数都大。

三极管基极不能无限大,那究竟多大合适?是不是也像其它接头接入时能使...

基极偏流过大会降低晶体管的关断速度，增加晶体管的功耗。偏流过大可以这么认为，基极电流超过了使晶体管开通并进入饱和状态时的集电极电流与放大系数之比的10倍。

这样很好计算了：5V / Rout = A，A / B = C，所以C是你最小的基极电流。如果你的输入电压Vin也用5V，那么(5 - 0.6)/C = Rin，你就可以选Rin了，为使三极管可靠饱和，选(5 - 0.6)/Rin C就可以了。

即三极管便已经导通，只是集电极电流的大小受基极电流大小的限制I c=Ib*β。也就是只要满足基极电压达到开启电压就行了。电流只是影响三极管的导通程度罢了。当然如果对集电极电流有要求，那么对基极电流也是有要求的。

基极电流不会很大，消耗的功率有限 IbIcmax/β就会饱和，按此计算的基极电阻再适当减小作裕量就最省电。

像上面那样的图，因为受到电阻 Rc的限制（Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压），集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大 时，三极管就进入了饱和状态。

你理解对的，通俗来说就是这样的，基极电流越大，会造成C－E之间的电阻越小，电流也就越大，就是导通越大。但时，如同其他网友所述，这是指在放大状态下才成立，到饱和状态就不成立了。

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