mos管pd（mos管PD 035W 13W）

发布时间：2023-07-16

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NPN型和PNP型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。

肯定是P沟道换P沟道，N沟道换N沟道的，但是并不是单纯地只看这一点。

很简单的一般MOS管的特性一样N沟道的换N沟道的。

可以用06N03 09N03 60N03 90N03代换。

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

MOS管的功率，一般是指MaximumPowerDissipation--Pd，最大的耗散功率，mos耗散功率225瓦就是指的是mos的最大功率为225瓦，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

耗散功率 PC 单个IGBT所允许的最大耗散功率结温 Tj 元件连续工作时芯片温厦关断电流 ICES 栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。

IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。

因而其传导损耗比较大，尤其是在高电压应用场合。IGBT是其耐压比较高，压降低，功率可以达到5000w，IGBT开关频率在40-50k之前，开关损耗也比较高，并且会出现擎柱效应。

1、TO220的有IRZ44/60N06，还有一些性价比高的国产MOS管。

2、GT2301 GT3401 GT2305 GT3401 沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。

3、SJ76，－140V，－500mA 。2SJ77，－160V，－500mA 。2SJ146，－50V，－100mA 。2SJ146，－60V，－200mA 。2SJ167，2SJ168，－60V，－200mA 。2SJ209，－100V，－100mA 。

4、统称为PMOS晶体管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。

5、笔记本常用的电源管就不错。FDS6990，双N。FDS6690，单N。IRF7831，IRF7832，单N。TPC8111和FDS4435，单P。

6、ME80N75T，75V，93A，TO-220封装。。

mos管pd（mos管PD 035W 13W）