mos管转移特性（mos管转移特性方程）

发布时间：2023-05-12

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本文目录一览：

1、MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件
2、MOS管的转移特性曲线，请问图b和图c的特性曲线要怎么看啊？
3、怎么根据转移特性判定MOS管是N沟道还是P沟道
4、关于MOS管的特性曲线问题
5、模电如何根据他们的输出特性曲线和转移特性曲线来分场效应管

MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅敏茄孙极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区纳谈的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生桥链漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

MOS管的转移特性曲线，请问图b和图c的特性曲线要怎么看啊？

1）一般判断增强型、耗尽型；

当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是虚粗增强型；

增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；

2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。而流入漏极为N沟道，流出漏极为P沟道；

如此，你便可以差轮镇 Ugs 变化中所对应的 Id 值来判断 P、N沟道了；桐大

3）所谓夹断电压，就是 Id = 0 时所对应的 Ugs 值；

怎么根据转移特性判定MOS管是N沟道还是P沟道

很简单，看转移特性曲线所分布世培宏的象限中盯即可。

如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。

如果是耗尽型管子，曲线是搜册分布在两个象限中的，P沟道是第三，四象限，N沟道是第一，二象限。

mos管转移特性（mos管转移特性方程）

关于MOS管的特性曲线问题

MOS管的输入不叫输入特性中谈曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压答培瞎UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。在放大状态（MOS管工作于恒流区）时，输出特性曲线可近似为与横轴平行的一根直线，因此此时可以用一根转移特性曲线来代替恒流区的所有曲线。但在可变电清空阻区时，对于不同的UDS，转移特性曲线变化很大。

模电如何根据他们的输出特性曲线和转移特性曲线来分场效应管

通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶伍让高体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。所以，腔尺要实现这点，结型场效应管和MOS型采用不同的办法实现了这个效果，导致了其特性曲线不同。

结型场效应管，利用栅极和沟道间的一个反向二极管，并在二极管上施加反向电压，利用二极管反向工作时，电流很小的特点，实现压控效果，所以结型场效应管工作时，栅极控制电压UG总是需要保滑旁证那个二极管反向工作，即N沟道，栅极电压为负，P沟道栅极电压为正。至于漏极电流的极性，可以通过N沟道，N代表负，外部电流流入D极，电流方向即为正，P沟道电流流出D极，电流方向即为负。所以，下图的曲线就很好记忆了。

而MOS管，直接将栅极与沟道间绝缘阻断，没有任何电流通过。所以按正常的正电压控制N沟道，负电压控制P沟道的原则。工作时，N沟道栅极电压为正，P沟道栅极电压为负。电流方向和结型管的判断方法一样，N沟道，N代表负，外部电流流入D极，电流方向即为正，P沟道电流流出D极，电流方向即为负。就可以确定MOS管的特性曲线。至于增强型和耗尽型如何区分，只要看控制曲线与y轴有交叉即可，即，当UG=0时，漏极电流不为零，即为耗尽型，UG=0时，漏极电流为零，即为增强型。如下图所示。

关键词：电阻沟道电阻 mos管可变电阻

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