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就是功率三极管,敏吵也叫晶闸管拆拿陵、开关管等,旅戚是电磁炉及其它线路中重要元件。三条腿,一般中间是删极、左右边是集电极和发射极。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三锋带极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成银烂芦的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特性 是电历州力控制器件。
汽车电子lgbt是绝缘栅双极型晶体管。把它理解为一个开关,用在电压几十到几百伏、电流几十到几百安的强电上。这时候你可能会想到,这个电压电流的量级,家里的电灯开关是用实体按钮控制的,IGBT是由计算机控制的模缺。我们日常生活中,使用的都是交流电,发电厂发出来的都是交旦耐辩流电,给电动车充电,必须把交流变成直流才能充进去,IGBT正好就能实现这个功能。
lgbt的作用
电控系统大功率直流变交流逆变器的功能后驱动汽车电机,车载空调控制系统小功率直流交流逆变,充亩念电桩智能充电桩中IGBT模块被作为开关使用。
IGBT可以承受高电压、可以变频、可以控制交直流转换、可以变压,也就是说现在有了电压、频率都受控制的强电,这个强电就可以用来驱动汽车、高铁等交通工具的电机。
上述提到的器件都属于功率开关器件。若按参与导电的载流子是一种还是两种,可分为单极器件和双极器件。其中属于双极器件的有:scr、gto、gtr以及igbt;单极器件的是功率mosfet。scr是可控硅整流器,也叫晶闸管,主要用在类似于二极管的领域,其与二极管拦宴不同的是,正向工作时,可通过门极电流来触发导通,而不像是二极管过了导通电压就能直接导通,但其关断不能通过门极关断,而是将电流减小至某个值以下,或是直接的换向关断。gto是gate
turn-off
thyristor,
为门极可关断晶闸管,即可以通过控制门极关断晶闸管。gtr应该是giant
transistor,为巨型晶体管,导通工作时要求发射结集电结均正偏,与普通bjt工作类似。以上的器件主要用于大电流,高压,低频场合。而功率mosfet由于是单极型器件,电流处理能力相对较弱,但由于其在开关过历衡蚂程中,没有载流子存储的建立与抽取,其频率特性好,用于高频低压领域。而igbt,为insulated
gate
bipolar
transistor,是绝缘栅双极场效应管,为电肢埋压控制电流,栅控器件,其工作频率比普通的双极器件高,电流处理能力比mosfet要强,一般用于中高频中高压领域。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT的袭败伍工作原理和作用通俗易懂版:
枯野IGBT就是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是为了可靠关断。
IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。
拍或IGBT有三个端子,分别是G,D,S,在G和S两端加上电压后,内部的电子发生转移(半导体材料的特点,这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因),本来是正离子和负离子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压,这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。
电销裤焊机之IGBT系列焊机工作原理
一、 功率开关管的比较
常用的功率开关有晶闸管、IGBT、场效应管等。其中,晶闸管(可控硅)的开关频率最低约1000次/秒左右,一般不适用于高频工作的开关电路。
1、效应管的特点:
场效应管的突出优点在于其极高的开关频率,其每秒钟可开关50万次以上,耐压一般在500V以上,耐温150℃锋斗搏(管芯),而且导通电阻,管子损耗低,是理想的开关器件,尤其适合在高频电路中作开关器件使用。
但是场效应管的工作电流较小,银祥高的约20A低的一般在9A左右,限制了电路中的最大电流,而且由于场效应管的封装形式,使得其引脚的爬电距离(导电体到另一导电体间的表面距离)较小,在环境高压下容易被击穿,使得引脚间导电而损坏机器或危害人身安全。
2、IGBT的特点:
IGBT即双极型绝缘效应管,符号及等效电路图见图11.1,其开关频率在20KHZ~30KHZ之间。但它可以通过大电流(100A以上),而且由于外封装引脚间距大,爬电距离大,能抵御环境高压的影响,安全可靠。
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