mos管夹断（mos管夹断是怎么产生的）

发布时间：2023-07-25

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双极型三极管，当C、E极2端的正偏电压差低于B、E的正偏电压差，就处于饱和态大约0.7V左右；如果是达林顿在3V左右。在C、E极2端加恒压是无法进入饱和的。

而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。

放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

沟道被耗尽层切断以后，由于耗尽层的电阻远大于沟道电阻，所以Vds电压增加部分几乎全部加在了耗尽层上，导电沟道上的电压几乎不变，所以Id几乎不变。

mos管夹断（mos管夹断是怎么产生的）

1、你这个是不是要的是Vgs（th）=2-4V呢，而不是Vgs=2-4V。Vgs（th）是MOS管的开启电压，一般来说，只有Vgs（th）才会这么小的。

2、找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。

3、可以用这个型号的MOS管：WPM2341-3/TR N沟道的，封装小巧，用在600mA电流的场景够用又有一定的余量，比较合适。

4、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。

夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

以NMOS场效应管为例，开始没有导电沟道，Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds=0时，没有电流。当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小。

前面出现沟道那段想必你已经很熟悉了。这个问题，你最好把模电书拿出来，翻到MOSFET的结构那张图。