mos管的吸收电路（mos管电路工作原理及详解）

发布时间：2023-07-26

阅读量：33

本文目录一览：

1、作为一般开关时，K1358关断瞬间，UDS升高，通过C5，VD4，R4回路，对 C5充电，降低电压应力（吸收关断瞬间的能量），增加电压上升时间；K1358导通后，C5通过R4和K1358放电，使电压降低至0V。

2、在开关电源，尤其是斩波器电路和桥式开关电源中，经常在MOS管或者IGBT两端并联吸收回路或者缓冲电路，而在单端反激式电源里通常在变压器绕组上并联RCD吸收电路。

3、不是启动电阻。它的作用是保护开关管，降低开关管突然截至时D极出现的瞬间高压，防止开关管被击穿。

4、你好，开关电源的RCD吸收二极管是在MOS管截止时导通的，就能把初级的反峰电压消耗在RC上，保护MOS管不被反峰电压击穿。而不是你说的“开关电源RCD吸收二极管可以在MOS管导通的时候防止输入电压直接从RCD吸收一路经过”。

5、RC吸收网络，吸收开关管上的尖峰电压；开关管开通，变压器开关管关断瞬间，因变压器漏感的存在，必然在开关管上产生一很高的电压尖峰，如果不有效抑制这个尖峰，开关管可能被击穿。RC吸收网络就是起这个作用。

mos管的吸收电路（mos管电路工作原理及详解）

在没有RC阻容吸收时，有一条反压很高波形.加了RC后，吸收或抑制了下反压增加因素，使器件电压击穿损坏减少。

在没有RC阻容吸收时，有一条反压很高波形. 加了RC后，吸收或抑制了下反压增加因素，使器件电压击穿损坏减少。

就是一个基本的RC吸收电路，主要是为了解决MOSFET开关的尖峰问题的。电阻R的最重要作用是产生阻尼，吸收电压尖峰的谐振能量，是功率器件。电容C的作用并不是电压吸收，而是为R阻尼提供能量通道。

1、耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

2、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

3、电压指标只可以高的替代低的，等于就是你不可以在你使用2n60的时候再去选择2n50，如果你选2n65来替代就是一个好的选择。

4、v相对的耐压从数据上看就比600v的mos管要好。只要你们公司不考虑成本的因素，就大可选择杰瑞特650v的mos管他们好像是从晶圆到mos管成品都有做，希望可以帮到你。望采纳。

1、RCD吸收电路和DD吸收电路。RCD吸收电路成本低廉，所以应用最为广泛。DD吸收电路的击穿电压是稳定的。

2、单端反激变换器在小功率开关电源设计中应用非常广泛，且多路输出较方便。单端反激电源的工作模式有两种，电流连续模式和电流断续模式。

3、整流电路（交流变直流），逆变电路（直流变交流），AC-AC（交流－交流），DC-DC（直流－直流）。电力电子变换电路有整流，逆变，斩波，交流交流变频调幅变换，电路形式有单相的，三相的，还有多相的。