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mos管栅极悬空（mos管栅极悬空为什么会坏）

发布时间：2023-07-26
阅读量：49

本文目录一览：

MOS管栅极悬空是什么意思

MOS管栅极悬空：Vg输入高时，N管会导通，使得P管的栅极为低，P管的DS导通。Vg为高阻态时，Vout输入不定，检查发现P管的栅极电压变化不定。R2虚焊，从而导致了N管的栅极悬空，R2焊好，问题解决。MOS管的栅极不能悬空。

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

当A（就是G极）悬空时，由于场效应管栅极极高的输入阻抗，会引入静电以及电场干扰从而导致DS导通。一般在应用时，GS之间要加一个电阻，防止栅极悬空引起错误动作。

这个压差表现出来的结果就是所谓的静电积累现象，由于MOS管的G是个高阻抗，故而两端积累的电荷得不到中和会不断积累，而且存在很小的结电容，根据C = Q/ U可得U = Q / c，显然很少量的一点Q就能得到很大的U。

解释CMOS门电路的输入端为什么不能悬空?

所以悬空时很容易受周围信号的干扰。静态功耗低，每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大，近似等于电源电压。抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。

CMOS集成电路的输入阻抗相当高， 输入端悬空，会受到感应信号干扰而误认为是有效输入信号，易出现错误的输出。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。这是为什么？CMOS电路的输入阻抗非常高，很容易受到干扰，所以必须将不用的输入端接地。

但是CMOS电路的输入端是不允许悬空的，因为悬空会使电位不定，破坏正常的逻辑关系。另外，悬空时输入阻抗高，易受外界噪声干扰，使电路产生误动作，而且也极易造成栅极感应静电而击穿。

cmos悬空但是CMOS电路的输入端是不允许悬空的，因为悬空会使电位不定，破坏正常的逻辑关系。另外，悬空时输入阻抗高，易受外界噪声干扰，使电路产生误动作，而且也极易造成栅极感应静电而击穿。

CMOS集成电路是用MOS管，而TTL电路是用三极管。所以COMS电路功耗低、适用电压范围宽，高低电平接近理想曲线，由于输入阻抗高，输入端悬空容易受到干扰，不能悬空。COMS速度比TTL低，只要速度够用，设计电路就应该选择COMS器件。

求助关于驱动过程中mos管DS两端电压的问题

根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。

mos管驱动电压不足会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断应该使用P沟道管，做成共源放大电路（上面为S极），才能将电源电压满幅度输出。

p沟道的增强型mos管,d和s接电源,当g悬空,即g什么都不接时,该mos管会工...

1、P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。对于P沟道增强型MOS管，无论是结构、符号，还是特性曲线，与N沟道增强型MOS管都有着明显的对偶关系。

2、能导通！实际所有N沟道Mos场效应管都有一个S极指向D极的“寄生二极管”（P沟道是D指向S，故能导通！），书本上可能简化了，国外的Mos场效应管符号图上都把它画上的。

3、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

4、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。

5、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。

6、如果用P沟道的MOS，S级需要接比G极高的电压。流过电流的大小可通过限流，稳压控制，用单片机控制场效应管我建议还是用N沟道的MOS比较好，因为单片机控制低电平控制PMOS时，S极的电压只要只要大于0V，容易使MOS导通。

为什么mos管在不用时应避免栅极悬空

Pmos要截止，由于电机接了12V电源，需要栅极接12V才能关闭。对于PMOS来说，和PNP类似。需要把12V当零，GND当做-12V。这时，0V截止，负电压导通。接的+5V相当于-7V，当然要导通了。

静电会对绝缘栅型场效应管（MOS管）造成不良影响，如果栅极悬空会被击穿。

并不是阻抗大容易受到干扰，外界干扰会让G极感应出电势，阻抗越大，电压会升越高，所以G极就容易被击穿。如果有一个低阻抗通道，电势就通过低阻通道流过，而不用升高电压乃至击穿器件甚至空气形成回路。

mos管的G级悬空易受到外界信号干扰,请问具体原因是为什么?

1、为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

2、而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。

3、如图2所示，如果由于某种原因，输出端短路而产生过流，开关管的漏极电流将大幅度上升，R9两端的电压上升，UC3842的脚3上的电压也上升。

关键词：增强型mos管 电阻 结电容 一个电阻 mos管 电容

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