内增益光电器件（带内增益波动）

发布时间：2023-05-19

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内增益光电器件（带内增益波动）

1、内光电效应：光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。外光电效应：物质吸收光子并激发出自由电子的行为。

2、外光电效应光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足够大，电子会克服束缚逸出表面，从而改变光电子材料的导电性，这种现象成为外光电效应。

3、光电效应的类别外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。

如掺Au、Hg的Ge探测器，是一种很灵敏的红外探测器。光生载流子是由深能级杂质中心激发的，称为非本征激发。这类探测器大多在很低温度下工作（如液氦温度2K）。

光电倍增管一般用于测弱辐射而且响应速度要求较高的场合，如人造卫星的激光测距仪、光雷达等。光电导器件：利用具有光电导效应的半导体材料做成的光电探测器称为光电导器件，通常叫做光敏电阻。

光电探测器工作频率最高的探测器是雪崩光电二极管（APD）。雪崩光电二极管（APD）利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增，因此灵敏度高，工作速度高，工作频率最高，并能提供内部增益，已广泛应用于光通信系统中。

硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小，因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。

外光电效应探测器包括光电管、光电倍增管。光电管基于外光电效应的基本光电转换器件。光电管可使光信号转换成电信号。光电管分为真空光电管和充气光电管两种。光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。

最近在写文章，写到量子效率的时候，发现越来越蒙。不图的资料对量子效率定义不一样。最基本的定义为单位光子数所产生的对光电流有贡献的电子-空穴对数，即η=(I/q)/(P/hv)。