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mos管的选型手册（mos管推荐）

发布时间：2023-05-19
阅读量：242

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P-MOS管它的手册如下,想问的是他的VGS=±20V,意思是不能超出±20V吗...

一个特定MOS管的阈值电压是固定的。你如果说的是，对MOS管所加的VGS大于所规定的最大值，mos管会怎么样的话。如果对mos管所加的VGS大于所规定的最大值，会损坏mos管。

|VGS||VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。

这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。对。

G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。还有一件事情就是G和S之间的最大耐压，元器件手册上有说明。最后就是G和S之间容许通过的最大电流，这个元器件手册上写的也很清楚。说的够明白了。

这种测试方法是最简单安全的也是比较典型的。

简单来说，当Vgs(即Q7的1-2间电压)有一个负压时，Q7就会导通，对于AO3401来讲，完全开通电压大约为-10V，但-3V也可以基本导通，只是阻抗略大（大约100毫欧），具体不同Vgs电压下导通阻抗可以查阅AO3401手册。

mos管数据手册如何看mos导通电压

1、当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时，NMOS就会导通。

2、使用测电阻法看。首先预判一下管子开启电压大概多少，串上合适阻值的可变电阻器，保证管子别烧了，管子门极并电压表。观测两端电压，串电流表，看电路是否导通上电前变阻器阻值至最大。

3、可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。

4、MOS管主要参数如下：开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

求低功耗、低价格的mosfet、三极管选型,要求如下?

为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。

二极管选用1N4007，三极管选用TIP41C，MOSFET场效应管选用IRFP350，电流可达30A。输入电压48v，则保护电路上的基准电压大致为0.9V，只要取样电阻0.1欧上的电压大于0.9V，就会产生过流保护。

贴片三极管可以用2SC2859-GR代替。2SC2859-GR NPN三极管 35V 500mA/0.5A 300MHz 200~400 250mV/0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 WG 音频低功耗放大。

如果感兴趣可以照此搭个电路一试便知！原因：因为IGBT结电容的原因，单位时间内驱动IGBT的上升沿与下降沿越陡越好（也叫压摆率），太平缓，工作在放大区时间太长，散耗在IGBT的功率越大，温度很快就飙上去了。会炸管。

这个可以大概估算出来，先从靠近MOSFET的电阻开始选择。看你MOSFET的参数，电压，输入电容，一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻，R4大约取100R-470R之间，R4太小了电流太大，三极管Q2过热。

一定要用BJT吗？有什么特殊的地方？大电流的BJT貌似放大倍数都不是很高，所以用达林顿模式吧，一个BC846加上一个大功率TO3封装的大功率管。

请教开关电路三极管和MOS管选型

如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

三极管是电流控制型器件。 Mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

如果你用的是普通51单片机，建议你用PNP的三极管，因为单片机灌电流能力比较强，一般可达20mA，而拉电流通常只有几十微安，所以设计成灌电流比较好，我常用2N5401的PNP三极管。

三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。高速开关三极管用场效应管，速度都很快。

MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

mos导通电压低，控制方便（电压驱动），功耗低。

MOS管的功耗计算方法?Mos管发热严重解决方法?MOS管选型?

如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

法则之一：用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升，最好功耗确定后，便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。

关键词：电阻器 mos管 对mos管 电阻 测电阻 可变电阻

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