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电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。
估计你的负载短路保护电路是为了保护mos管。从图纸推断你的B-应该接地。
是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。
R5+LED1 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。如果控制电流比较大（ 3A ) 可以用右图， R5+LED1+LED2+LED3 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。
MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。
应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。
响应速度比较快，使用PID的话，响应速度比较慢，导致较大的电流波动，也加重了单片机的负荷，因为经常运行极慢的浮点数。而硬件的PID，则可以考虑其1或2，不必P，I，D都考虑，否则电路设计起来很麻烦，难调试。
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整流二极管M7是SMA封装，1N4007是DO-41封装，可以相互替代。这两种二极管都是普通的二极管，很多厂家都有供应的。
国内从事二三极管、稳压二极管的厂商有很多的，具体的话，还是需要看您是要采购什么型号的物料，建议申请样品测试，多对比再做选择。
1、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。
2、用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。
3、单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
4、EMC），也可以使用光耦。如果用在频率比较高的场合：如：PWM ，SPWM 发生等，则需使用专用的驱动芯片 高速光耦，或者是图腾柱输出电路等。关于这方面的资料 建议看看《开关电源设计》中的MOSFET的驱动电路一章。
5、要注意，MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在5V左右可认为MOS饱和导通，参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高，不能超过20V。
6、上图是常用N沟道MOS管AO4468参数手册中给出的导通内阻参考值，当控制电压5V的时候，导通内阻小于22mΩ；控制电压10V时，导通内阻小于14mΩ，从这个参数上能够看出，不同的驱动电压下，导通内阻是存在一定差别的。
1、要注意，MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在5V左右可认为MOS饱和导通，参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高，不能超过20V。
2、单片机输出PWM，改变其占空比来控制MOS管的导通角，从而改变灯的亮度。占空比位1和0，灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。
3、你好：你的单片机的IO是开漏输出的，因此你加的R26这个上拉电阻，但R26取值100K有点大，把R26减小如改为10K看看，如果还高就再减小。
4、两图高速都不理想，上图开通70n03的速度太慢，下图 关断7n03的速度太慢。
应该不行，既然用单片机处理，那么一般希望mos管工作在开关状态。因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。
可以，但导通电阻较大，因为功率MOS的G极最大限压30v，一般驱动电压在10~15v，比较合适，建议你通过光驱去驱动MOS管。
单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
可以。普通MOS的G极驱动电压要求达到4V，电流几乎没有要求，所以用51单片机是可以直接驱动的。但具体使用的时候有些地方要注意：mos管分P沟道和N沟道，驱动时要考虑极性，另外，直接用51驱动，开关速度不能太高。
R5+LED1 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。如果控制电流比较大（ 3A ) 可以用右图， R5+LED1+LED2+LED3 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。
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