功率开关器件要求（功率开关器件要求标准）

发布时间：2023-07-29

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功率开关器件要求（功率开关器件要求标准）

模块电源的保护功能应至少包括输入过压、欠压、软启动保护；输出过压、过流、短路保护，大功率产品还应有过温保护等。7．功耗和效率根据公式，其中Pin、Pout、P耗分别为模块电源输入、输出功率和自身功率损耗。

工作频率一般来说工作频率越高，输出纹波噪声就更小，电源动态响应也更好。但是对元器件尤其是磁性材料的要求也更高。一般模块电源的开关频率是在300kHz以下，甚至更低。所以要求高的场合需要选择更高开关频率的产品。

质优可靠。模块电源一般均采用全自动化生产，并配以高科技生产技术，因此品质稳定、可靠。

1、反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。

2、功率=电压*电流一般的开关主要参数只有电流，比如16A或者40A等，根据你需要控制的电路容量选择不同的开关，一般要容量一定要赋予些，达到不超过开关容量75%为好。

3、PS1：理论上10mil（0.254mm）的线宽就可以通过最高1A的电流，所以除非是大功率器件，否则不必要考虑很多的线宽，一般20mil-0.5mm就够保险了，当然一般电源正极/地线都加粗到1mm。

而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。

电力MOSFET驱动电路的特点是：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。