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因为电子元器件损坏,电路板接触不良,散热不良。电子元器件损坏:逆变器一边发热,一边不热也有可能是逆变器内部的电子元器件损坏导致的。
如果还是原来那边发热,那就是变压器的绕制错误了,这是百分百的。这就是同型号的场效应管一边发热一边正常的原因。
这个跟日光灯没关系,是你的鱼机的问题。线路板设计部合理、底线电阻大都会使MOS一边发热。
可能驱动电路有问题。场效管栅极有很大的电容,所以场效管需要电流驱动,一般采图腾柱式驱动电路。其次场效应的栅极电压比较高至少栅级要达到5 才能可饱和。驱动不良,会导致场效应开关不良而致耗散功率过大所以分发烫。
发烫证明已经有电流流经127了。绝对是万能表有问题。直接电流表测量时,127承受电压约10v,消耗功率约5w,不烫就不正常了。
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可能是你的线路不太对,或者是线路太复杂了;可能是软件本身的BUG。
1、开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。
2、首先,MOS管发热的原因是什么?MOS选型不合理,内阻较大,或者是封装导热性不好,导致温升较高。散热效果不好,MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。
3、通过测试结果分析后,改变栅极驱动电阻阻值,选择合适的频率,给MOS管完全导通创造条件,MOS工作后有效的降低了尖峰电压,又选择了内阻更小的MOS管,使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。
4、驱动频率过高,G极驱动电压不够,通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高,G极驱动电压不够,通过漏极和源极的Id电流太高,重要的是进行正确的测试,才能发现问题所在。
如果温度不是太高,例如75°一下,可以不用处理,如果温度确实太高,可以考虑在管子上加一块散热片。微星的板子有很多型号管子上就有散热片,附图是一个例子供你参考。
开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。
通过测试结果分析后,改变栅极驱动电阻阻值,选择合适的频率,给MOS管完全导通创造条件,MOS工作后有效的降低了尖峰电压,又选择了内阻更小的MOS管,使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。
1、配置问题:请检查电路中的配置参数是否正确,如开关频率、输入电压等。如果仍然无法找到问题,请请教专业人员帮助解决。
2、对于高频磁性材料引起的损耗,要尽量避免趋肤效应,对于趋肤效应造成的影响,可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。
3、根据描述,你的MOS管应该一直处于大电流工作状态,而没有起到PWM调节作用。你先不要接MOS,接VCC,测下7脚是否为VCC,8脚是否为5V,再测下其它脚看看。如果都正常再测下R4是否正常,再检查下R7与R8之间的电压。
原因是热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的,可通过增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。
说的是对的,但能发出声音是通过MOS管旁边的线圈完成的,amd耗电量较大,电流也大,所以电源处理电路有缺陷就会产生很多问题。试一试给线圈重新封胶并检查MOS管的虚焊情况,可能有帮助。
根据描述,你的MOS管应该一直处于大电流工作状态,而没有起到PWM调节作用。你先不要接MOS,接VCC,测下7脚是否为VCC,8脚是否为5V,再测下其它脚看看。如果都正常再测下R4是否正常,再检查下R7与R8之间的电压。
电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。
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