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耐压(最大工作电压VDSS),VDSS不是越大越好,一般=工作电压×2就够。最大工作电流(ID),ID一般比实际工作电流大一些为好(2倍以上)。SD导通正向压降(VSD)越小越好,大了容易发热。
D452A和D472A 两个管子的参数基本一样,都是耐压25V 电流55A ,只是导通时内阻不同而已,一个是5毫欧,一个是8毫欧。功耗不一样,发热量不一样。特点:与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。
使用时主要关注的参数有:IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。
1、me9435是一个MOS场效应管集成块,其实就是一个场效应管。最大工作电流5A、耐压30V、P沟道的MOS管。常用于液晶电视高压板电路。也用于笔记本电源管理电路。
2、me9435是一个MOS场效应管集成块,就是电流5A、耐压30V、P沟道的MOS管,可以用来做电子开关作用,1 2 3脚是输入电压,5 6 7 8是输出,4脚电平输出。贴片sop-8脚封装形式。
3、P65AD就是AP9435,P沟场效应管。P沟30V参数20A,50mΩ,31W。功率MOSFET场效应管从驱动模式上看,属于电压型驱动控制元件,驱动电路的设计比较简单,所需驱动功率很小。
4、上楼真是混蛋,人家是在问电池保护电路的一个双MOS管开关芯片,这个芯片里面集成了二只N沟道MOS增强型场效应管,上楼神经失常的回答手机型号方面去了,相当人家问的是水果,你却回答成蔬菜。
5、B不是那么好换的,不要听他们的,首先你连坏的原因都不知道,换了还是坏。用在笔记本电源上面的原因更复杂。由2个4800变化好多电压,17伏,3伏,5伏,12伏都有,用于充电的只有12伏。
6、型号: BSS138DW 描述: dual N-channel mosfet 封装: SOT-363 印记: K38 三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。
1、所以代换时不必看型号,只看尺寸基本就可以。21寸及一下,用5A及以上的。25寸及一下,用6-10A及以上的。29寸-34寸及一下,用8-15A及以上的。高清的大多用20A及以上。
2、所以,从数据上来看,微波炉的高压保险管不能用普通保险管代替,否则即便能够安装,也将失去保险的原有作用。
3、电源变压器代替输出音频变压器,只能是唱响,音质没有保障,应急情况下是可以的,尽可能不要这样。
1、用测电阻法判别场效应管的好坏:测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
2、MOS场效应管分J型,增强型,耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体,P沟道是P型半导体,然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有极高的输入电阻。
3、在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。
4、集成电路芯片上的MOS管为四端元件,除了栅极、源极、漏极外,尚有一基极。MOSFET电路符号中,从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。
1、你先看看这两个三极管的一个脚是接电源的正极还是负极,是正极就是PNP型的,可以用9012 9015 8550 A1015 2N5551等代替,NPN的用9013 9014 8050 C1815 c945 13001等。
2、K7K全名是DMN601K7,可以用2N7002代换。
3、亲。您好!这个可以用普通的发光三极管儿替代【回答】亲。您好这个该结型场效应管的外形封装与SOT-23封装的9012三极管一样,体积很小,故一般采用丝印YJ7来表示型号。2SK2394的耐压值为15V,ID为50mA,PD为200mW。
4、k72贴片和贴片702不能代换。K72贴片三极管为NPN极性,可用HFC1815贴片三极管反转后代换。代码K7K的贴片元件实际型号是BCV71,普通用途三极管,SOT-23封装,NPN型,45V,250mW。
5、贴片三极管可以用2SC2859-GR代替。2SC2859-GR NPN三极管 35V 500mA/0.5A 300MHz 200~400 250mV/0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 WG 音频低功耗放大。
6、K117为场效应管,50v0.01A,0.3W K370 K369等都可以代用。
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