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大功率开关电源频率比较低，这是因为频率越高铁芯损耗越大，还有开关管的开关损耗也是和频率成正比的，频率升高趋肤效应也使线路的等效电阻增加，所以频率过高反而需要更大的散热器，导致电源整体体积增大。
为什么温度越高开关损耗越大？因为温度越高就说明电阻越大，那么在使用的过程中消耗自然会越大，所以说温度越高，开光损耗越大。
在这段时间内，开关管的电流和电压有一个交叠区，会产生损耗，这个损耗即为开通损耗。以此类比，可以得出关断损耗产生的原因，这里不再赘述。
通态损耗。通态损耗是器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而成为器件功率损耗的主要因素。
导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导通状态时的损耗；开关损耗是出现在功率开关被驱动，进入一个新的工作状态，驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。
电子元器件的选择原则 在满足的性能参数的情况下，应选用低功耗、低热阻、低损耗、高功率增益、高效益的元器件。国产元器件的优选。
） 电子元器件的技术条件、技术性能、质量等级等均应满足电子设备的要求。2） 优先选用经实践证明质量稳定、可靠性高、有发展前途的标准元器件，不允许选用淘汰品种和禁用的元器件。
设计时要根据电路的要求选择性能和参数合适的阻容元件，并要注意功耗，容量，频率和耐压范围是否满足要求。 （2） 分立元件的选择分立元件包括二极管，晶体三极管，场效应管，光电二（三）极管，晶闸管等。
1、是指输入的功率和做功功率之比。各种损耗包括：导线损耗、功率因数损耗、和机械磨擦造成的损耗。对变压器来说损耗包括：铁芯的漏磁损耗、涡流损耗、线圈的铜线电阻造成铜损。电源的效率是其输出功率与输入功率之比。
2、输电线路中的损耗叫做输电损耗或者线路损耗，指当负荷电流通过线路时，在线路电阻上会产生功率损耗。电能通过输电线路传输而产生的能量损耗，简称线损。
3、供电公司只抄小区总表，从总表到居民电表之间的电损费需业主一起分担，因此物业自己定价收费。这个费用就是电损费。
4、电力网电能损耗（简称线损），是电网经营企业在电能传输和营销过程中自发电厂出线起至客户电度表止所产生的电能消耗和损失。
5、电能损耗是功率损耗对时间的积分。功率损耗是指某一电网电路能源输入输出转化过程中损失的功耗。电压损耗就是指输电线路首端电压的模和末端电压的模之差。U损耗=，U1，-，U2，。
IGBT的导通损耗和开关损耗当IGBT模块结温升高时，其内部电阻变小，导通损耗会减小，而开关损耗则会增加。当结温升高到一定程度时，开关损耗的增加会超过导通损耗的减小，导致总损耗增加。
一般来说，开关损耗远大于导通损耗，开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积越大，由此产生的损耗也很大。减少开关时间可以减少每次导通时的损耗；降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。
三大损耗：与功率开关有关的损耗、与输出整流器有关的损耗、与滤波电容有关的损耗。与功率开关有关的损耗 功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。
功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。
1、导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导通状态时的损耗；开关损耗是出现在功率开关被驱动，进入一个新的工作状态，驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。
2、开关损耗包括导通损耗和截止损耗。导通损耗指功率管从截止到导通时，所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止时，所产生的功率损耗。
3、导通损耗是指在导通状态下电路中的电流通过器件时所产生的损耗，通常是由器件的电阻和导通时的热效应所引起的。而开关损耗则是指在开关器件由关闭状态转换到导通状态时，由于开关器件的电容特性和电感特性导致的能量损耗。
4、一般开关电源的效率（220v-48v）大于80%，效率以80%计算，它的功耗就等于负载功率/80%。
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